退火对Cr3+离子掺杂Al2O3薄膜的结构和发光性能影响.pdfVIP

孙乃坤等：退火对C，一离子掺杂Al。0。薄膜的结构及发光性能影响 文章编号：1001—9731(2013)13—1859一04 退火对Cr3+离子掺杂A1：03薄膜的结构及发光性能影响。 孙乃坤，杜宝盛，高印博，柳 峰，蔡宗岐，赵美星 (沈阳理工大学理学院，辽宁沈阳110159) 摘要： 用脉冲激光沉积技术在Si(100)基底上制 对于Al。()。光致发光机理的研究主要集中在掺 备了纯Al。()。、掺杂浓度为O．3％、1％(质量分数)的杂粒子导致的发光及Al。()。自身氧缺陷吸收电子形 Cr卜：Al：O。薄膜。制备态的薄膜为立方7一Al。O。结成色心引起的发光。在掺杂发光方面，Cr卜离子作为 构，经800。C真空条件下退火lh样品的结晶度有所提第一种投入使用的激光介质的掺杂材料，一直是人们 高，呈现Q—A1：()。相与丫一Al。()。相的衍射峰。薄膜基研究的热点。夏海平等：对Cr3一离子在不同材料中 本保持了靶材中原有各元素成分比例，平均粒径为 的发光性能及晶格场强度进行了研究，得出Cr3+掺杂 250nm，形貌为条形。与Al：()。粉体相比，制备态薄膜的固体材料光谱特性与晶格场参数有直接的联系。米 在386nm处的发光峰强度明显提高。这可归因于薄晓云等邓。采用共沉淀法及低温燃烧法分别制备了不同 膜中氧空位的增加使双氧空位吸收电子所产生的F2+ 掺杂浓度的Cr抖：Al：O。粉体，并发现Cr”的掺杂量 色心浓度提高。薄膜经真空退火后在332、398nm附对样品的发光性能有很大影响，样品的激发峰位于 近的发光峰强度明显增强，这是由于薄膜中氧空位的 增加提高了F+、F色心浓度。与此同时，制备态薄膜 在386nm附近发光峰经退火后由386nm蓝移至 381nm，可归因于退火后制备态薄膜的内应力得到了 释放。1％(质量分数)Cr抖掺杂薄膜在646、694nm出变短所引起。本文在前期工作中uo]研究了球磨法制 现Cr”离子由4T：能级跃迁至4A：能级及由E能级 备不同浓度掺杂的Crp：Al：()。纳米粉体的发光性 跃迁至4A。能级产生的荧光发光峰。 能，发现694nm附近的由Cr卜离子所引起的荧光发光 关键词： 脉冲激光沉积；Cr3+掺杂的氧化铝薄膜；荧 峰的最佳掺杂浓度为O．3％(质量分数)。 光光谱；真空退火 目前，关于Al：O。薄膜的发光机理，尤其是掺杂 中图分类号： TN383 文献标识码：A 浓度和退火温度对Al：()。薄膜发光性能的系统研究 D()I：10．3969／i’issn．100卜9731．2013．13．009 氧化得到的Al。O。薄膜的发光性能，并将470nm的发 1 引 言 光峰归结为残留的草酸根离子形成发光基团所引起。 Al。()。薄膜因为其宽的带隙、优良的物理及化学 廖国进等[】2’系统研究了Ce”浓度对中频磁控溅射技 性能，如较高的介电常数、机械强度高、热导率高、耐 术得到的Al：()。薄膜的发光性能的影响，得到发光强 磨、耐腐蚀等诸多优点，被广泛应用在抗磨损』。、抗腐 度和发光峰位对Al。O。薄膜中的Ce3一浓度有依赖关 蚀隔离层包裹心一、光波导器件制造[31等领域。并且能 系。范文斌等¨列系统研究了氮气下退火对射频磁控 提供从紫外到近红外的透明窗口，而成为电致发光元 溅射技术得到的Al：O。薄膜的结构及发光性能的影 件的重要组成部分和平板显示器件中的光学激发层材 响，发现退火使薄膜的结晶质量变好，同时384nm的 料。而离子掺杂可以使Al。()。薄膜的晶型、导电和发发光峰发生由应力释放导致的蓝移。储汉奇等uu研 光等特性发生相应的改变，因而可用于不同技术领域， 究了直流反应磁控溅射法得到的Al：()。薄膜的发光 提高器件技术水平口矗]。目前制膜与掺杂方法很多，如 射频溅射、脉冲激光沉积(PI。D)、等离子体增强化学气Al。O。中氧缺陷形成的色心所引起。Al：O。薄膜热退 火处理，会在薄膜与衬底间产生离子交换，导致基质 相沉积