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快速预热处理对大直径CZSi中FPDs及清洁区的影响.pdf
第 27 卷 第 1 期 半 导 体 学 报 Vol . 27 No . 1
2006 年 1 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S J an . ,2006
快速预热处理对大直径 CZSi 中 FPDs
及清洁区的影响
1 1 , 2 2 1 1
张建强 刘彩池 周旗钢 王 敬 郝秋艳 孙世龙
1 1
赵丽伟 滕晓云
( 1 河北工业大学信息功能材料研究所 , 天津 300 130)
(2 北京有色金属研究总院 , 北京 100088)
( ) ( )
摘要 : 研究了不同气氛下快速预热处理 R TA 后 ,硅片中的流动图形缺陷 FPDs 密度和随后两步热处理形成的
( ) ( ) ( )
魔幻清洁区 MDZ 之间的关系. 硅片经过高温快速预热处理后 ,再经过 800 ℃ 4h + 1000 ℃ 16h 常规退火 , 以形
( )
成 MDZ. 研究发现 ,当硅片在 Ar 气氛或 N / O 9 % 混合气氛下 R TA 预处理后 ,FPDs 密度较低 ,随后热处理出现
2 2
的氧沉淀诱生缺陷密度较高 、清洁区较宽. 对于 N / O 混和气氛 ,随着 O 含量的增加 , FPD s 和氧沉淀诱生缺陷密
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度变小 ,纯 O 气氛下预处理后硅片中 FPD s 和氧沉淀诱生缺陷密度最低. 因此 ,可以通过调节 N / O 混合气氛中
2 2 2
两种气氛的比例来控制空洞型微缺陷和硅片体内氧沉淀诱生缺陷的密度.
关键词 : CZSi ; 空洞型微缺陷; 流动图形缺陷; 快速热处理 ; MDZ
PACC : 7280C ; 6 170Q ; 8130M
中图分类号 : TN 304 1 文献标识码 : A 文章编号 : 02534 177 (2006) 0 1007305
处理来消除.
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