电沉积cuse2预置层硫化退火制备cu2薄膜及表征.pdfVIP

中国科技论文在线 电沉积Cu(In,Ga)Se 预置层硫化退火制备 2 Cu(In,Ga)(Se,S)2 薄膜及表征∗ 张治安,赖延清, 匡三双, 刘芳洋, 刘军, 李劼, 刘业翔 中南大学 冶金科学与工程学院，长沙 （410083 ） E-mail: zza75@163.com 摘 要:在550℃下的H S 气氛中退火处理电沉积制备的Cu(In,Ga)Se (CIGS)预置层，制备了 2 2 太阳电池光吸收层Cu(In,Ga)(Se,S)2(CIGSS)薄膜。采用X 射线能量色 散谱(EDS) 、俄歇电子能谱(AES) 、扫描电镜(SEM) 、X 射线衍射（XRD ）和拉曼光谱(RS) 对退火前后的薄膜进行表征。结果表明，H2S 气氛下退火能够实现薄膜中O 的去除和S 的 掺入，同时使得各元素的纵向分布更加均匀并可消除Cu-Se 微相。此外，H2S 退火还可改善 薄膜的结晶性能，并使S 和Ga 进入黄铜矿结构，薄膜晶格参数变小。 关键词 Cu(In,Ga)(Se,S) ；Cu(In,Ga)Se ；电沉积；H S 退火；太阳电池 2 2 2 PACC：6855，8280P，8630J 1 引言 黄铜矿结构 CuInSe (CIS)系半导体材料由于具有合适可调的带隙宽度和较高的吸收系 2 数(105 -1 [1] cm ) 而成为薄膜太阳电池理想的光吸收层材料 。以 CIS 掺 Ga 后形成的 Cu(In,Ga)Se [2] 2(CIGS)为吸收层的薄膜太阳电池的最高效率已达到 19.9﹪ 。但该电池中吸收 层 CIGS 的掺镓水平仍仅为 Ga/(In+Ga)≈0.3 ，带隙宽度约为 1.15eV；如果进一步提高 Ga/(In+Ga)则会导致材料电学性质的迅速恶化，降低电池性能[3] 。而根据单节地面太阳电池 的理论分析，吸收层最优的带隙宽度应当在1.4～1.5eV 范围[4] 。此外，太阳电池的另一发展 趋势是做成梯度带隙或叠层太阳电池，这就要求吸收层顶部的带隙为 1.6～1.9eV，下部则有 若干亚带隙[5] 。通过掺硫进一步拓宽带隙宽度而形成的Cu(In,Ga)(Se,S) (CIGSS)则能很好的 2 满足上述各要求[6] [7] 。CIGSS 带隙宽度随掺入Ga 和S 的量在1.0～2.4eV 范围内连续可调 ， 可以很容易的制成宽带隙或梯度带隙吸收层，从而为电池的优化设计提供了更多选择。 Nakada T[8]等报道了表面硫化CIGS 后制备CIGSS 使得电池效率从8～11﹪提高到14.3﹪。 目前，制备五元CIGSS 薄膜都是采用基于真空技术的物理气相沉积(PVD)方法，如溅射 [9]和蒸发法[10-11] 。PVD 能够制备出高质量的薄膜，但是成本极其高昂，难以大规模推广应用。 因此，采用低成本非真空技术制备CIGSS 薄膜将有望解决上述问题。电化学沉积[12]是一种 成本低且适合于大面积成膜的非真空成膜方法，已经成功应用于CIS 和CIGS 的薄膜沉积和 电池制作。 本文首次对电沉积四元 CIGS 预制层进行硫化氢气氛退火制备五元 CIGSS 薄膜，并对 预制层和退火后薄膜的成分、形貌和结构等进行了表征与分析。 2 实验 预置层的电化学沉积制备在三