《低温多晶硅薄膜制备技术应用进展》.pdf

第26卷第8期 电 子 元 件 与 材 料 Vbl．26NO．8 2007年8月 ELECTRoNICCOMPoNENTSANDMATERIALS Aug．2007 低温多晶硅薄膜制备技术应用进展 杨定宇，蒋孟衡，涂小强 (成都信息工程学院光电技术系，四川成都610225) 摘要：系统介绍了金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法、触媒化学气相沉积法(cat—cVD)以及电感耦合等离 子体化学气相沉积法(IcP．cvD)制备低温多晶硅薄膜的原理及进展。对不同制备工艺的优势和不足进行了比较，重 点讨论了C小cvD和IcP．CvD在实用化中需克服的技术问题。对上述制备方法的应用前景作了评述和展望。 关键词：半导体技术；低温多晶硅薄膜；综述；金属诱导横向晶化；准分子激光晶化；触媒化学气相沉积；电感 耦合等离子体化学气相沉积 中图分类号：TN304 文献标识码：A 文章编号：1001．2028(2007)08—0008—04 onthe 0f10w films progressprepara伽ntemperatllrepolysilicon Applica咖n YANG Ding-yu，JIANGMeng-heng，TUXiao-qiang IIIfomation 610225，China) (ChcngduUIliVers竹of Technolo鼢Chengdu Abstr曩ct：T11e and of memods metalinduced】ateral pdnciplespfo譬ressl卫f峪pfep盯ationincluding crystaHjzation cheIIlical (M几C)，exciIIlerlaserannealing(ELA)，catalyticVapord印osition(Cat．CVD)andinductiVelycoupledplasma chelIlical and ofdifferent vapor systemalic“lyin廿oduced．Then，meadvantagesshoncomings d印osition(ICP-CVD)were of and in were arled耐meachotller．Discussedwereseveral Cat-CVDICP—CVD processescomp problems practical rcview ofaboVe-me聪onedmethodsarealso applic撕ons．Finally，a确efaIld印plicationpmspect presented． words：senliconductor Key tectlIlology；UPS；re“ew；MnC；ELA；Cat．CVD；ICP-CVD 低温多晶硅薄膜(删)晶体管驱动的L(D和 OLED，具有亮度高，画面细腻，响应速度快等优点， 被业界视为实现全彩大尺寸平板显示的技术发展方向。 离子注入到其内部，发现可降低a—si薄膜的晶化转变 L1PS具有比高温多晶