AlGaN%2fGaN异质结构的变温电学特性.pdf

摘要 摘要 国际上的一个研究热点，随着GaN薄膜生长技术的提高，对于异质结构的研究不 仅仅是追求常规常温下的电学特性参数，而更要求在更宽的温度范围内对 A1GaN／GaN异质结构的电特性进行各种机理的分析，建模以及高温应用的可行性 及退化机理的分析。本文即在此背景下对AIGaN／GaN异质结构的变温电学特性进 HFET 行一个研究，使用到了肖特基电容电压(CV)效应，低场下Hall效应以及FAT 长栅器件的电容电压．电导电压(CC)测试的表征手段，在77K至673K的高温下 对其进行AIGaN／GaN电子体系的研究，2DEG密度与迁移率的变温依赖关系以及 AIGaN／GaN异质结构的高温电子输运特性等等，主要的研究工作以及成果如下： l 利用极化理论和一维薛定谔．泊松联立方程的自洽求解研究了2DEG界面不同 温度下的变化，在700K的高温下，2DEG依然获得很高的限域性，证实了 模上发现，在低温段，主导2DEG迁移率的散射机制有粗糙度散射，合金无序散 射以及压电散射，在室温段，几乎所有的散射机制都起到一定的作用，而在高温 段，2DEG迁移率则主要受到声学声子和极化光学波散射的削减作用。 2 通过对AIGaN／GaN异质结构的变温CV研究发现，其电子体系可分为：1．界 制掺杂的AIGaN势垒层，其电子浓度在673K的高温下相比77K下增加了约两倍， 而GaN缓冲层中电子浓度则是以数量级的递增。对于2DEG密度，随温度增加则 出现先下降后升高的规律，较低温度段的降低是由于导带不连续△Ec的降低而使 得三角势阱容纳不了更多电子，较高温度段2DEG密度的增加是由于2DEG界面 处以及界面两侧施主杂质离化产生的自由电子充当着一部分的2DEG。 3 子密度与温度关系的研究，均发现室温下耗尽电容越小，背景电子浓度增加数量 就越小，甚至观察不到背景电子的出现，相反，耗尽电容越大，其背景电子浓度 增加越剧烈，甚至在数值上超过了2DEG。这对于生长高质量的AIGaN／GaN异质 结构具有一定的参考价值。 4 通过FAT HFET器件的变温CC测试，结合理论研究了不同温度及不同2DEG 密度下的2DEG迁移率，实验发现，在高温下，库伦散射对低2DEG密度的迁移 率有着较大的削减作用，这是因为库伦散射在高温下还必须考虑另一种来源：背 景电子，而背景电子附加的库伦散射迁移率要比2DEG的低很多，因此才致使 2DEG迁移率较低。 2 AIGaN／GaN异质结构的变温电学特性 5 通过高温Hall效应研究分析了AIGaN／GaN异质结构的高温电子输运特性，对 不同舢组分的异质结构高温输运特性研究发现，低Al组分AIGaN／GaN异质结构 别为75％和82％，且2DEG在整个电子体系里的比例分别为30％和60％，反映出 在高温段，Al组分越高，对次子带的抑制更强，且2DEG的主导作用更大，反之 相反。由理论计算得出的不同Al组分AIGaN／GaN异质结构总迁移率与温度的关 系的计算结果与实验结果相符合，表明了高Al组分异质结构更适合作为微波大功 率器件的材料。 关键字：AIGaN／GaN异质结构变温电学特性 Abstract 3 Abstract AIGaN／GaNheterostructureshave been muchattentionbecause recentlyattracting oftheir for and microwave greatpotentialhigh-voltage，hi曲-powerhigh-temperature the is willbenot tO growthtechniquedeveloping，it onlyaiming applications．As