集成电路芯片制造实用技术 教学课件 卢静 第5章 掺杂技术.pdfVIP

集成电路芯片制造实用技术 第5章 掺杂工艺 第5章 掺杂工艺  5.1 概述  5.2 扩散  5.3 离子注入掺杂  5.4 掺杂质量评价  5.5 实训 扩散工艺规程 5.1 概述  掺杂是指将需要的杂质掺入到特定的半导 体区域中，以达到改变半导体电学性质， 形成PN结、电阻、欧姆接触的目的。  扩散和离子注入 5.1 概述 ⅢA族受主掺质(P型) ⅣA族半导体 ⅤA族施体掺质(N型) 元素 原子量 元素 原子量 元素 原子量 硼 5 碳 6 氮 7 铝 13 硅 14 磷 15 镓 31 锗 32 砷 33 铟 49 锡 50 锑 51 5.2 扩散  扩散技术目的在于控制半导体中特定区域内杂质 的类型、浓度、深度和PN结。在集成电路发展初 期是半导体器件生产的主要技术之一。但随着离 子注入的出现，扩散工艺在制备浅结、低浓度掺 杂和控制精度等方面的巨大劣势日益突出，在制 造技术中的使用已大大降低。  间隙式扩散  替位式扩散  推填式扩散 5.2.1 间隙式扩散 5.2.2 替位式扩散 5.2.3 推填式扩散 5.2.4 扩散的工艺  1．扩散设备 2 ．扩散的工艺流程  （1）程序鉴定测试以确保设备符合产品质量标准。  （2 ）利用批次控制系统验证晶圆特性。  （3 ）下载所需扩散参数的制程处方。  （4 ）设定炉管，包括温度分布。  （5 ）清洁晶圆并将晶圆浸入氢氟酸以移除原生氧化物。  （6 ）执行预沉积：装载晶圆于沉积炉管中并进行掺质扩 散。  （7 ）推进：升高炉温，推进并激活杂质，然后卸载出晶 圆。  （8 ）测量、评估及记录结深与电阻。 3．扩散常用的杂质 杂质 杂质分子式 化学名称 砷 (As) AsH3 砷化氢 (气体) 磷 (P) PH3 磷化氢 (气体) 磷 (P) POCl3 氯氧化磷 (液体) 硼 (B) B2H6 硼乙烷 (气体) 硼 (B) BF3 三氟化硼 (气体) 硼 (B) BBr3 三溴化硼 (液体) 锑 (Sb) SbCl5 五氯化锑 ( 固体) 5.3 离子注入掺杂  离子注入技术是近30年来在国际上蓬勃发展和广泛应