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第八章 可编程逻辑电路 8.1 概述 8.2 只读存储器 8.3 可编程逻辑阵列(PLA) 8.4 可编程阵列逻辑(PAL) 8.5 通用阵列逻辑(GAL) 8.6 复杂可编程逻辑器件(CPLD) 8.7 现场可编程门阵列(FPGA) 8.8 Verilog HDL简介 8.1 可编程逻辑器件PLD概述 8.2 只读存储器(ROM) . 8.3 可编程逻辑阵列(PLA) 8.4 可编程阵列逻辑PAL 8.5 通用阵列逻辑GAL 8.6 复杂可编程门阵列CPLD 8.7 现场可编程门阵列FPGA 8.7 Verilog HDL简介 A 输入 ≥1 F EN 1 1 A 输入 ≥1 F EN 1 1 Q Q CLK OE D (3) 带反馈的寄存器输出结构 输入 ≥1 =1 F EN Q Q OE D CLK 1 1 可编程 A (4) 加“异或”、带反馈的寄存器输出结构 ≥1 ≥1 =1 Q Q D EN F ≥1 ≥1 ≥1 ≥1 B A 输入 CLK OE AB A+B A+B A+B (5) 算术选通反馈结构 例: 试用PAL实现下列逻辑函数。 根据逻辑函数作出的PAL逻辑电路如下: A B C ≥1 ≥1 ≥1 F1 F2 F3 × × × × × × × × × × × × 1 1 1 ROM、PLA、PAL都是一次性可编程器件,在编程 后无法加以修改,但GAL则可电擦除反复编程。 普通型GAL:与门阵列可编程,或门阵列固定连 接。如GAL16V8、GAL20V8等。 改进型GAL:与门阵列可编程,或门阵列也可编 程。如GAL39V18等。 元OLMC,8个输出三态缓冲器、“与”阵列和时钟系统 、输出选通信号组成。 下图为GAL16V8的逻辑结构图。其由8个逻辑宏单 OLMC 1 OLMC 1 OLMC 1 1 1 I/O I/O I/O 1 1 1 2 3 9 1 一、GAL器件的性能特点 1、采用电可擦除工艺,使门阵列的每个单元可以 重新编程,整个器件的逻辑功能可以重新配置。一 般至少可以擦写100次。 2、采用高性能的E2CMOS工艺,使GAL器件具有双极 型的高速性能(12~40nS),而功耗仅为双极型PAL 器件的1/2~1/4(45mA~90mA)。编程数据可保存20 年以上。 3、可编程的输出逻辑宏单元(OLMC),使GAL器件对 复杂的逻辑设计具有极大的灵活性。 的功能可测试性。 以检查时序电路的自启动能力,使GAL器件有100% 4、 每个输出寄存器的状态可以进行预置,从而可 5、具有上电复位功能,开电源时向每个寄存器提 供一个复位信号,使寄存器的Q端为“0”。 6、电改写过程快速,改写整个芯片只需数秒。 7、电路设有加密单元,可防止抄袭电路设计。 8、含有不受保密位控制的电子标签字,可存放标 识符方便了文档管理。 开始 定义逻辑 编译 模拟、调试 输出编码及编程 形成JEDEC文件 结束 编辑 编辑 检查 二、GAL器件的编程与开发过程 1、 GAL器件的开发流程 2、 编程所需设备 (1) 一台PC主机; (2) 一台GAL编程器; (3) 开发工具软件包; (4) GAL器件。 3、 编程步骤 (1) 源文件准备; (a) 根据设计要求,写出真值表、逻辑方程、或画 出状态图、原理图; (b) 用描述逻辑设计的专用高级语言,按一定格式 和规定书写源文件; (2) 编译处理。 用编译处理式语言处理软件对源 文件进行处理,产生一个标准的熔丝图文件(JEDEC 文件)和设计文档文件; (3) 硬件编程; (a)通过电缆将GAL编程器连接到PC机,启动编程器; (b)运行编程器工作程序,测试工作环境; (c)将GAL器件插入编程器插座; (d)调入JEDEC文件,对器件编程(烧录、下载)。 (4) 验证。取下已编程的器件,实际测试验证。 三、GAL器件应用举例 或门、与非门、或非门、异或门、同或门。 例1:用GAL16V8设计如下6个基本逻辑门:与门、 6个基本逻辑门的逻辑表达式为: 的设计源文件如下: 基本逻辑门。用ABEL-HDL语言写出的基本逻辑门 根据以上要求,采用一片GAL16V8就可以实现6个 MODULE BASIC-GATES //头部 TITLE ‘BASIC GATES’ //说明部 IC1 DEVICE ‘P16V8S’; A1,B1,A2,B2 PIN 19,1,2,3; 输入引脚定义 A3,B3,A4,B4 PIN 4,5,6,7; A5,B5,GND PIN 8,9,10; A6,B6,F6,F5 PIN 11,
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