新集成电路制造工艺 教学课件 林明祥 第1章至第3章.pptVIP

3.2.2　热氧化方法 图3-3　硅干氧氧化层厚度与时间的关系 2.水汽氧化3.湿氧氧化 3.2.2　热氧化方法 4.掺氯氧化(1)掺氯氧化的作用(2)掺氯氧化工艺5.氢氧合成法 3.2.3　热氧化设备简介 1.常规热氧化设备 3.2.3　热氧化设备简介 34.tif 3.2.3　热氧化设备简介 图3-4　常规热氧化系统 2.掺氯氧化设备3.氢氧合成氧化设备 3.2.3　热氧化设备简介 图3-5　掺氯氧化系统 35.tif 3.2.3　热氧化设备简介 图3-6　氢氧合成氧化系统a)氢氧合成系统　b)注入器结构 1)氧化前必须检查注入器喷口前端是否在氢气的着火点温度(585°C) 3.2.3　热氧化设备简介 以上，是否在石英管界面的中心位置上，并从出口处检查喷口的前端是否正常，检查安放在喷口前端附近的热电偶是否有断线现象。2)定期检查氢气、氮气、氧气气体管道是否漏气。3)注意石英管是否盖紧，不可有漏泄。4)在进行设备调试时，必须充分通以氮气后才能工作。5)氧化结束要用氮气排除废气，一定要把残留在炉管内的气体排除干净。 3.3　二氧化硅生长的其他方法  3.3.1　热分解淀积二氧化硅膜 1.烷氧基硅烷热分解法 3.3.1　热分解淀积二氧化硅膜 图3-7　真空热分解淀积二氧化硅系统示意图 1)系统的密封性要好，不能有漏气或气路堵塞。2)源温要适当，流量要控制好。3)源使用时间不能过长，一旦源变成黄色就不能使用。 3.3.1　热分解淀积二氧化硅膜 4)硅片进炉以后，预抽气5min，真空度达到后再通源。2.硅烷热分解法 3.3.1　热分解淀积二氧化硅膜 图3-8　硅烷热分解法淀积系统示意图 1)反应室要保证整个淀积面积上具有均匀的气流，反应室的面积和横截面面积要适当控制， 3.3.1　热分解淀积二氧化硅膜 同时对气体流量(总流量和源流量)要控制好。2)要严格控制反应温度。3)使用时注意安全。 3.3.2　其他制备二氧化硅的方法 1.反应溅射法2.真空蒸发法3.外延法4.阳极氧化法 3.4　二氧化硅膜质量控制  3.4.1　二氧化硅膜的质量要求  3.4.2　二氧化硅质量检验 1.厚度测量(1)比色法 3.4.2　二氧化硅质量检验 表3-3　不同氧化膜厚度的干涉色彩 (2)双光干涉法 3.4.2　二氧化硅质量检验 图3-9　双光干涉法示意图 (3)椭圆偏振光法 3.4.2　二氧化硅质量检验 310.tif 图3-10　椭圆偏振仪结构示意图1—激光管　2—起偏器　3—四分之一波片4、5、7—光阑　6—检偏器　8—光电倍增管　9—样品台 3.4.2　二氧化硅质量检验 2.二氧化硅膜缺陷检验(1)宏观缺陷解决方法是认真处理硅片表面，对石英管进行严格的清洗，严格控制水温和氧气流量。解决方法是严格选择衬底材料，氧化前进行严格的清洗。(2)微观缺陷解决热氧化层错的方法很多，如降低氧化炉温，采用高压氧化，还可以采用化学吸附法(通氯氧化)。 3.5　热处理  3.5.1　退火  3.5.2　硅化反应  3.5.3　熔流  3.5.4　固化  3.5.5　快速热处理  3.6　习题 1.叙述二氧化硅的结构。2.二氧化硅有何主要的物理性质？3.二氧化硅被腐蚀的化学原理？4.二氧化硅作为杂质扩散的掩蔽物有哪两个条件？5.二氧化硅有何用途？6.热氧化的原理是什么？7.氢氧合成法应注意什么？8.热分解淀积与热氧化的差别在哪里？9.如何消除烷氧基硅烷热分解所产生的副产物？10.叙述双光干涉法测量二氧化硅厚度的工作原理。11.如何检验二氧化硅膜的质量？12.热处理有哪几种方法？ 2.3.2　单晶硅的制备 图2-7　单晶生长机示意图 1)清洁处理2)装炉 2.3.2　单晶硅的制备 3)加热熔化4)拉晶(2)悬浮区熔法 2.3.3　单晶硅性能测试 1.物理性能测试(1)单晶体检验(2)晶向测定(111)晶面的腐蚀坑是正三角形；(100)晶面腐蚀坑呈正方形；(110)晶面上的腐蚀坑呈长方形。2.电气参数测试(1)导电类型测试 2.3.3　单晶硅性能测试 28.tif 2.3.3　单晶硅性能测试 2M8.tif 图2-8　热探针法测试导电类型示意图 (2)电阻率测试 2.3.3　单晶硅性能测试 图2-9　直流四探针法测量电阻率的示意图 (3)非平衡少数载流子寿命测试3.缺陷检验 2.3.3　单晶硅性能测试 (1)化学腐蚀法(2)红外显微镜直接观察法(3)X射线衍射形貌照相法(4)扫描电子显微镜分析法4.杂质含量测试 2.4　硅单晶的加工及质量要求  2.4.1　单晶硅的切割 1.滚磨工艺2.定向3.确定定位面4.晶片切割 2.4.1　单晶硅的切割 2