新集成电路芯片制造实用技术 教学课件 卢静 第1章 概述.pptVIP

集成电路芯片制造实用技术 第1章 概述 目录 1.1 集成电路的发展历程 1.2 集成电路芯片制造工艺流程 1.3 集成电路的生产环境 1.4 集成电路芯片制造产业介绍 1.1 集成电路的发展历程 1958年美国德州仪器公司（TI公司）工程师杰克·基尔比（Jack kirby）用白金线将3个电阻、1个电容和1个晶体管连接在一起，制作在锗条上 。 仙童公司（Fairchild）的罗伯特·诺伊斯（Robert Noyce ）利用刻蚀淀积半导体表面的铝薄膜层所形成的铝线来连接各个器件 。 1965年Intel公司创始人之一的戈登·摩尔（Gordon Moore）提出了著名的摩尔定律 1.1 集成电路的发展历程 1.1 集成电路的发展历程 1.2 集成电路芯片制造工艺流程 集成电路制造常用到的工艺技术有外延工艺、扩散工艺、离子注入技术、氧化工艺、光刻工艺、刻蚀技术、薄膜淀积等彼此独立的单项工艺。 1.2.1 外延工艺 作用： 外延工艺是集成电路制造中的主要工艺之一。外延是指在衬底上生长单晶硅，也可以是多晶硅。作为衬底的材料可以是硅、锗、砷化镓等半导体材料，也可以是陶瓷、蓝宝石等绝缘介质。 外延工艺能够实现对薄膜层掺入的杂质类型和浓度精确控制，外延层可以是N型或P型，这并不依赖于原始圆片的导电类型和杂质浓度，甚至可以在重参杂的低阻衬底上生长轻参杂的高阻外延层。目前的外延层技术层厚控制方面可达到原子层量级水平。 1.2.1 外延工艺 方法 外延生长方法应具备可以获得高性价比外延层的能力。目前常用的外延方法是气相外延（VPE）、液相外延（LPE）、分子束外延（MBE），这些方法可以在工艺中精确控制外延层的组分、厚度、掺杂浓度和分布等材料参数，同时获得最低缺陷密度和良好重复性、均匀性的薄膜层。 1.2.2 扩散、离子注入技术 扩散和离子注入是常用的两种掺杂技术，它们的作用是将需要的杂质掺入到半导体圆片表面下指定的区域内，以改变其的电学特性。 1.2.2 扩散、离子注入技术 扩散工艺是半导体制造的一项传统掺杂技术，也称为热扩散，即当半导体中存在杂质浓度梯度时，在高温作用下杂质原子或分子会由它的高浓度区向低浓度区移动。扩散工艺利用这种物质基本属性，实现杂质的再分布，达到在圆片表面下特定区域按设计要求进行掺杂的目的。 离子注入工艺是最常用的一项掺杂技术，它是将杂质（掺杂剂）原子离子化后，在高能电磁场作用下形成高速离子束流，并入射到半导体衬底内，杂质离子与半导体材料中的原子或分子发生一系列物理性的互作用，入射离子逐渐损失能量、并停留在材料某个位置上，从而导致注入层内半导体材料导电性能发生变化，达到掺杂的目的。 1.2.3 氧化工艺 氧化又称为热氧化，热氧化工艺的基本过程是利用高纯的氧气（O2）送入工艺腔，在高温下与圆片表面的硅（Si）发生化学反应，生成二氧化硅（SiO2）。热氧化过程需要消耗半导体基质内的Si，氧化反应从圆片表面开始逐层向内部推进。生长温度通常在900℃~1200℃之间。气体源是作为氧化剂的氧气（O2）、水蒸气（H2O）以及其他辅助气体氮气（N2）、氢气（H2）、氯气（Cl2）等，它们的选择配置取决于氧化方法和氧化层的性能要求。 1.2.4 光刻工艺 光刻是集成电路制造技术中最为复杂的关键工艺，它借助掩膜版以及涂圆片上的光刻胶，在光学—化学作用下形成带有相应图形是后续工艺掩蔽层，实现由掩膜版到光刻胶掩蔽膜的图形转移。特征尺寸、套刻精度是光刻工艺指标的主要体现。高性能集成电路需要使用10块～20块甚至更多数量的掩膜版，最小尺寸、套刻精度达到纳米尺度。 1.2.5 刻蚀技术 刻蚀是用化学或物理方法去除圆片表面材料层的工艺过程。大多数情况下刻蚀工艺在完成光刻工艺之后进行，它通过有选择地去除未被光刻胶（或其他薄膜）掩蔽的表面材料层、保留掩蔽区域的材料层，实现图形复制转移。 1.2.6 薄膜淀积工艺 薄膜淀积也称成膜工艺，应用于圆片表面的每一层薄膜的生成。在半导体制造中薄膜淀积是一组非常重要的工艺，不同的薄膜及其淀积工艺反复运用在芯片制造过程中。在圆片上淀积薄膜的层数和材料种类的增加，推动薄膜淀积技术的不断进步。 1.2.7 测试 在晶圆被钻石刀具切割分离为单个芯片之前，晶圆上每个芯片的细微电路都要经过自动化的测试。 1.2.8 封装 为了进一步保护芯片和脆弱的连线，将芯片封装在硬塑料壳中。封装体同时还具有带走电路所产生的静电以及保护芯片免受各种环境因素影响的作用。集成电路芯片封装形式根据器件的类型和用途有所不同 1.3 集成电路的生产环境 集成电路是高度精密、复杂的器件，对生产环境有严格的要求。集成电路的工艺水平进入深亚微米以后，对其加工的环境提出了更加苛刻的要求。这是因为：任何粒