《全三维电离粒子有源像素探测器优化仿真.》.pdfVIP

物理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．10(2014) 100702 全三维电离粒子有源像素探测器优化仿真术 胡海帆 ) 王颖 )十 陈杰2) 赵士斌2) 1)(哈尔滨工程大学信息与通信工程学院，哈尔滨 150001) 2)(中国科学院微电子研究所，北京 100029) (2014年 i月25日收到；2014年3月6日收到修改稿) 提出了一种双外延高能离子注入的单片集成有源像素探测器的传感器结构，以提升传感器对电荷的收集 性能和辐射加固，并进行了三维工艺模拟和物理级器件仿真计算．研究结果表明，所提出的传感器结构改善 了内部 电场和电势的分布，且 目标电极的电荷收集效率提高7O％，电荷收集时间减少64％．此外，当等效中子 辐射流通量在10吨--10 am 范围内时，所提出的传感器结构比标准传感器结构有更高的电荷收集能力． 关键词：单片集成有缘像素传感器，探测器，电荷收集，高能离子注入 PACS：07．07．Df，29．40．Gx，81．15．一z DOI：i0．7498／aps．63．100702 用．图1给出了标准MAPS横截面示意图． 1 引 言 尽管MAPS内电荷收集部分由轻掺杂外延层 和重掺杂衬底构成，但针对 电荷收集敏感区域的改 相对于成像领域应用中的竞争对手 电荷耦合 进研究仍在进行．2004年，Dulinski等 [9】提出了无 元件 [1--3]，单片有缘像素传感器 (MAPS)的广泛使 外延层CMOS—MAPS结构，研究结果表明外延衬 用源于互补金属氧化物半导体 (CMOS1技术的固 底并非是MAPS不可缺少的结构．己证 明无外延 有优势，如低成本、低功耗，并可集成检测等相关 层MAPS的抗辐射强度满足很多未来粒子物理应 电路在 同一芯片上．近些年，一些研究报道阐明 用的要求，但是最小电离粒子 (MIP)探测的电荷 MAPS同样适用于高能物理领域，如高能物理粒子 收集时间和收集效率等特性退化较为严重 [10]．因 踪迹追踪实验 [4-6】． 此学者们提出了很多改进措施以增强MAPS的电 探测器的辐射能力取决于MAPS和电子电路 荷收集效率 [11--131．此外，2011年付民等 [14]提出 (EC)两部分．现代 的工艺加工技术，可 以令EC 基于高斯分布掺杂衬底的MAPS结构，通过改善载 有较高的辐射容忍度，并且可以应用在线性对撞 流子漂移机理提高电荷收集效率，降低载流子收 机 (等效中子辐射流通量 。。=10Mcm )中7【，引． 集时间．但在实际工艺中，杂质分布会同理想高斯 MAPS中电荷收集主要依靠热扩散，辐射会在半导 掺杂分布有一定偏差，因此他们提出的MAPS结构 体晶格体 内形成缺陷，除了会降低少数载流子寿 很难实现．Parker等 [15J提出三维f3D)阵列电极的 命和迁移率外 还会影响少数载流子的扩散长度， MAPS结构、其 电极结构穿透到MAPS体硅中．该 并且 电荷收集效率随着辐射剂量的增加而快速衰 结构具有很多优点，不仅提高了电荷收集速度，且 退，因此限制MAPS不能在更强的辐射环境中应 有较高的辐射容忍度和空间分辨率．目前，学者们 用．此外，由于载流子扩散过程时间太长，MAPS 研究不同的3D—MAPS技术以满足极端辐射环境。 也不适合在高能物理实验和线性高能对撞机中应 如应用在超级线性强子对撞机中[16J．但 由于深沟 教育部科