一维二氧化锗纳米结构的制备和光学特性.pdfVIP

～维二氧化锗纳米结构的制各与光学特性 陈晓波 摘要本论文采用原位热氧化法、常压化学气相沉积法和水热法，制备了二氧化 锗纳米线和纳米锥。研究了它们的形貌、晶体结构、发光和Raman特性，提出了 可能的生长机理，发现了紫外光的发光现象，讨论了结构和性能的关系，为氧化 锗纳米结构的光电性能及其应用研究奠定基础。 位大面积生长出了Ge02纳米线。纳米线的结构为六方相Ge02，长度达长达30m． 通过改变加热温度，纳米线的直径可在110-17013m范围内调节。提出了可能的生 长机理以说明Ge嘎纳米线的形成，在Ge02纳米线的拉曼光谱中观察到了声子限 制效应引起的峰的移动。 (2)单质锗与氧气反应原位生长的Ge02纳米线及其发光性质以Au作催化剂通 过会属锗与纯氧在600—800C的氧化反应，在单质锗表面原位大面积生长出了Ge02 纳米线。Ge02纳米线为六方相单晶结构，其直径在65-340 nm范围内，长度长达 50pm。研究了反应温度和时间以及会膜的对纳米线直径的影响，提出了可能的生 长机理。实现了不同直径Ge晚纳米线的可控合成。发现发光峰位于355nm的强紫 外光发光和发光峰位于400和485 am的弱蓝光发光，这两种发光可能分别起源于 Ge02纳米线中氧空位与|’日J隙氧之间的跃迁和氧空位中的电子与锗一氧空穴中心的 空穴复合。 面原位大面积生长出了Ge02纳米线。Ge02纳米线为六方相单晶结构。长度达长 达300re。通过改变加热温度和时I’日J以及喷会时间，纳米线的直径可在110．160啪 范围内调节。纳米线的生K遵循气．液一固生长机理，发现发光蜂位于355nm的强 紫外光发光和发光峰位于485nm的弱蓝光发光，这两种发光可能分别起源于 Ge02纳米线中氧空位与蚓隙氧之问的跃迁和氧空位中的电子与锗．氧空穴中心的 空穴复合。 (4)通过常压化学气相沉积法．在单质硅表面大面积生长出了Ge02纳米锥。采 用扫插电镜、激光拉曼光谱和透射电子显微镜对产物进行了表征分析。结果表明， Oe02纳米锥为六方相多晶结构，中部直径在270—500 am，长度可达13Ilm。研究 了反应温度和时fB】对纳米锥直径的影响，提出了可能的生长机理。 线衍射仪、扫描电镜和透射电子显微镜对纳米线进行了表征分析。结果表明，在 线的直径为30 nln左右，长度1．5l,tm。提出了可能的水热反应机理。 关键词：Ge02，生长机理，拉曼光谱，光致发光，原位热氧化法，水热法， 常压化学气相沉积 and of OpticalProperties Preparation Germaniumdioxidenanostructures OBe．Dimensional Nanowiresandnanoconesof havebeen thein-siVa Abstract Ge02 preparedbyusing thermal chemical and hydrothermal oxidation，atmosphericpressure vapordeposition methods．The and structures，Raman morphologies，crystal of of were the