新型无铅铌、钽盐陶瓷的制备与介电、铁电特性研究.pdfVIP

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新型无铅铌、钽盐陶瓷的制备与介电、铁电特性研究

摘要 为了在铌酸盐、钽酸盐中发掘新型功能材料,本论文根据钨青铜的结构特 征以及A、B位阳离子的特性(半径、电价、电负性),采用高纯粉末,通过固 相反应法合成并制备了系列充满型和非充满型钨青铜结构新化合物及陶瓷体, 系统研究了其组成、结构与介电和电导特性,并分析了材料的组成、结构与性 能的变化规律。本论文包含的工作如下: 合成并制备了系列充满型钨青铜结构化合物Sr5I迮Ti3M7030和 Sr4Pr2Ti4Ta6030为顺 Sr4RE2Ti4M6030(RE=Pr,Eu;M=Nb,Ta)及陶瓷体。室温时, 电相, Sr4Pr2m6030按1:4和l:8的比例混合时,能够得到温度稳定型较好的固溶体, 可以用来制备满足X7R标准的陶瓷电容器。 合成并制备了充满型钨青铜结构化合物K3A2RENbl0030 豫特性与稀土原子半径有关,随着稀土原子半径的减小,前两者随之增大,而 后者则随化合物A位离子半径的差值的增大而逐渐消失。K3Ba2LaNbl0030, 电相,其中K3Ba2PrNbl0030的剩余极化强度最大,2Pr达到9.56laC/em2。在400 ℃以上出现的介电常数的突变,主要是由于高温时氧空位的存在导致电导增加 而使介电常数和介电损耗迅速增大。各化合物的弥散系数都在1.2之间,但居 里常数C都在105以上,表明该系列化合物都是位移型相变。按照Vogel.Fulcher 型,冻结过程由极化束跳跃机制和极化束相互作用控制。氧空位热激活产生导 电电子,这些电子和偏离氧八面体中心的Nb阳离子偶极子的相互作用,导致 陶瓷的阻抗特性大致相似,阻抗弛豫激活能都接近氧空位移动所需的激活能 (-leV),证实观察到的电导都是由氧空位的移动引起的。 合成并制备了系列非充满型钨青铜结构化合物KBa3RENbl0030 均为弛豫型铁电体。随着稀土原子序数的增大,转变温度逐渐增大。前三者室 温时为顺电相,后三者具有室温铁电性,其中KBa3GdN-b10030的剩余极化强度 最大, 2Pr达到8.2 eV。 eV,0.129eV,0.16 KBa3PrNbI0030和KBa3NdNbl0030的激活能为0.148 表明三者的弛豫行为是一种自旋玻璃型,冻结过程由极化束跳跃机制和极化束 特性大致相似,利用Arrhenius关系式进行拟合,激活能都接近氧空位移动所需 的激活能(~1eV),表明观察到的电导都是由氧空位的移动引起的。 合成并制备了系列非充满型钨青铜结构化合物Ba4RETiNb9030 是扩散型相变。随着稀土原子半径的减小,转变温度逐渐增大。计算出的居里 常数都大于105,说明该系列陶瓷是一种位移型相变。每个化合物都具有弱的铁 电性,其中BanGdTiNb9030的剩余极化强度最大,2Pr达到5.12 I_tC/cm2。由于原 子数与A1、A2的晶体位置数不对应,从而形成无序结构,导致损耗随频率的 增加而增加。陶瓷的弛豫行为符合玻璃旋转模型,冻结过程由极化束跳跃机制 eV, eV,接近0.1 Ba4SmTiNb9030的激活能分别为0.174、0.096、0.074和O.12 因此,观察到的介电弛豫现象是由于偏离中心的Nb离子重新取向排列和导电 K、243 电子共同作用的结果。冻结温度随着离子半径的减小而增大,分别为62 K、276K和304 瓷中,阻抗特性大致相似,并满足Arrhenius关系式,激活能都接近氧空位移动 所需的激活能(~leV),证实观察到的电导都来自氧空位的移动。 关键词:钨青铜结构,介电性能,阻抗特性,弛豫铁电体。 Ⅱ

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