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磁控溅射法制备gxzn1-xo薄膜及性能研究
Ⅷ㈣㈣㈣㈣I
Y2230196
摘 要
M啦nl如三元固溶体作为Zn0基的半导体化合物，在发光二极管、激光二极管、
太阳能电池和紫外探测方面有着较广阔的研究空间，其本身也可以作为紫外发光器件，
具有很高的应用价值。因此近年来对该材料的研究较多，对材料制备工艺的研究也越
发成熟。
本文选取组分为Mgo．4Zno．60的陶瓷靶材，采用射频磁控溅射的物理沉积方法获得
M＆Zn】叫O薄膜。分别在不同的溅射时间、溅射功率、不同衬底温度条件下研究薄膜的
结构、形貌和性能的改变，同时研究了退火后样品的性能变化。
利用x射线衍射分析来确定薄膜材料的晶格结构及其相组成，同时利用拟合和谢
乐公式计算了薄膜生长的晶粒尺寸。利用EDS分析不同衬底上的薄膜在不同工艺条件
下的组分，通过SEM照片观察样品的表面形貌。通过吸收光谱的分析可以大致计算
Mg的引入所导致MgZnl如薄膜禁带宽度的改变，并确定石英玻璃衬底上和蓝宝石衬
底上薄膜对紫外光的吸收边。利用发射光谱分析各种工艺条件下的M＆Znl．p薄膜在
223IⅡn的紫外光激发下的发射光波长和发光强度。
关键词：M92n卜D薄膜射频磁控溅射紫外探测
ABSTRACT
s01id-s01utionwaSaHndofsemiconductorbasedon
Temary compound
M＆Znl呵O
ZnO．nhadbroadresearchfieldssuchaS diodes diodes(LD)，
1ightemitting (LED)，laSer
itcanusedasUV ithas
solarcellandUV device，so
detection，2Llso lightemitting VeUlligh
tothismaterial、vereits
Value．Thereforeinrecem research ta：ken，aIld
印plication yearsmaIly
ma：cure．Cer吼icconsistedof were
becomesmore M勖．42110．60
pr印arationtechnology target
selectedto tMnfilm
M＆Znl《O usingradio：丘equentlymagnetronspu他ring．The
prepare
studiedatdi舵rent
a11d oftlletmnfilms、Ⅳere
stmctIlre，morphologype怕珊aIlce sputtering
tiIlle、di虢rent a11ddi船rentsubs仃ate
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