等离子体浸没注技术对半导体材料的改性研究.pdfVIP

等离子体浸没注入技术对半导体材料的改性研究 握旦大擎 摘要 ImmersionIon 等离子体浸没注入(Plasma 型的离子注入技术，由于其拥有非视线性的特点，被广泛应用于材料表面处理工 艺。Pill技术从最初冶金学方面的应用，逐渐转向对生物高分子材料以及半导体 微电子材料领域。我们对自行搭建的PHI设备，进行了离子注入剂量标定以及材 on Insulator)材料中氧注入的研究。 本文提出了一种全新的PHI剂量标定方法，该方法基于电流测量，采用电流 积分剔除二次电子影响，得到最后的离子注入剂量。当注入电压发生改变时(即 二次电子的产量发生变化)，在计算方法中引入电压矫正因子加以修正。当注入 电压脉宽发生改变时，基于Child-law的剂量标定理论模型存在着一定的误差， 本研究对加入了对电压脉宽的修正。 采用Pill技术制备P型ZnO的研究中，研究首先使用脉冲激光沉积(Pulsed Laser Thermal 离子注入后，样品在800℃快速退火(RapidAnnealing，RTA)。使用PHI 变化电压的注入形式制备得到了氮掺杂的P型ZnO薄膜，其空穴载流子浓度为 cm2·V-I．s-1。但当注 9．74×1014cm-3，接近1015ella3浓度。而载流子迁移率为6．52 入剂量超过一定值，样品在退火后，其中的氮元素发生聚集形成叠氮化锌 Zn(N3)2。 使用掺杂磷元素的ZaO薄膜作为对比实验：采用原位生长PLD方法制备不 同掺杂浓度的ZnO薄膜样品，RTA退火处理。适量的五氧化二磷掺杂对ZaO的 结晶性能有所帮助，而2％浓度的掺杂浓度的结晶性能最好。RTA退火处理后， cm-3，空穴迁移率为13．00 可得到P型Zno薄膜，其空穴浓度为1．70x1017 cm2．V一．S-I，同时探讨了磷掺杂P型ZnO的形成机理。 此外本文尝试了采用PHI技术取代SIMOX工艺中的注氧过程，以制备SOl 材料的可行性研究。不同工艺条件的氧离子注入样品，采用1300℃高温管式炉 退火。研究了退火前后存在的晶格缺陷以及变化，发现氧化层厚度与退火氛围以 及注入电压密切相关。 ～ 关键词：等离子体浸没注入，剂量标定，脉冲激光沉积，P型ZaO，离子注入 中图分类号：TN305 等离子体浸没注入技术对半导体材料的改性研究 覆旦大擎 Abstract Plasmaimmersionion anewkindof whichis techniquewidely implantation(PIII)is becauseits character． usedforthesurface of non-line-of-sight propertyimprovement itwas PIllwasfirstusedforthe and then metallurgicaltribologicalengineering，and of usedinthefieldof macromolecul