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SISAND oFSYN’mE RECHERCHE OF COMPOSITES SiC，SiCtw)／SiC Submittedto AThesis Scienceand Shaanxi of University Technology ofthe forthe of inPartialFulfillment Degree Requirement Master Science． of—E———n——g—i—n—eering Thesis Supervisor：Professor．．W．．．．．．a．．．n．．．．a．．．．．f．．e．．．n．． 2014 MaM SiC，SiCw)／SiC材料的制备及其工艺研究 摘要 SiC材料由于其优良的热，电，机械等方面的优异性能被广泛应 用于冶金，化工，能源，生物，半导体材料与器件等多个领域。但 是，传统制备方法制备SiC存在制备温度高，电能消耗量大，环境 污染严重等诸多问题。材料学者们不断探索，寻求一种新的绿色制 备SiC的工艺，近年来，材料学者通过不同的制备工艺，探索了从 低温到高温，从高性能SiC陶瓷及其复合材料到SiC纳米材料，从 SiC单晶材料到SiC同质异质外延等制备工艺，成功探索和制备出了 各种形态的SiC材料，为SiC的广泛应用做出了巨大贡献。本文分 ’ 的工作内容如下所示。 1。探索了采用酚醛树脂和滤纸裂解的残余碳浸渍H201#甲基硅 油制备SiC的工艺。发现此工艺存在SiC产率低，不能得到较高纯 度的SiC材料的缺陷。并发现产物中存在大量的非晶相。虽然成功 的制备出了块体材料，但得到的块体材料致密性差，物理性能差。 得到了此工艺制备SiC原理为碳热还原反应原理。 2．采用滤纸裂解的残余碳浸渍硅粉的酚醛树脂悬浊液，成功的 现随着温度的升高，原料反应的越完全，产物析晶程度越好，得到 的SiC纳米线长径比越大；在1430℃温度下，复合材料中原位生成 的SiC纳米线表面光滑、尺寸均一、长径比大于103，以沿滤纸C化 过程中形成的空隙生长为主，并能穿插生长于树脂与滤纸层；讨论 了此工艺制备SiC机理，发现SiC的生成初期受扩散机制控制，而 随着温度的升高，基体中开始生成SiC纳米线，其生长机制为VS机 制，而基体SiC材料始终受扩散机制控制。 3．采用Si粉为硅源，酚醛树脂裂解C为碳源，在一定含量Al 的催化下，在较低的温度下合成了SiC材料。研究了催化剂含量对 材料合成温度及产物形貌的影响，分析了Al的催化作用机理。对比 研究发现，以Al为催化制备SiC材料，可使SiC的生成温度降低约 成有一定的抑制作用。 4．研究了以SiO：为硅源，碳粉为碳源制备SiC材料的合成工艺 Al催化剂的作用效果，分析了催化剂的引入对合成材料温度与产物 纯度的影响，并探讨了催化剂的作用机制。 源制备SiC材料的工艺。并对不同催化剂合成的产物进行了对比， 分析了不同催化剂的作用效果。研究得出以Fe：O，为催化剂，难以制 而非SiC材料。 关键词：SiC，低温制备，SiC纳米线，A