应变硅mosfet沟道应变的有限元研究.pdfVIP

第27卷 第5期 电 子 显 微 学 报 V0l一27．No．5 2008年 1O月 JournalofChineseElectronMicroscopySociety 2008．1O 文章编号 ：1000．628t(2008)05．0364—06 应变硅MOSFET沟道应变的有限元研究 刘海华 ，段晓峰 ，徐秋霞 (1．北京电子显微镜实验室，中国科学院物理研究所，北京 100190； 2．中国科学院微电子研究所，北京 100029) 摘 要 ：本文报道 了利用有限元计算和动力学大角度会聚束 电子衍射模拟的方法研究了应变硅场效应 晶体管沟 道 中的应变分布 。沟道压应变是利用预非晶化源漏区锗离子注入应变诱导工艺技术引入的。有限元计算结果显 示，器件 的源漏 区很低 的锗注入剂量在沟道 区的顶层造成 了很大的压应变，而且在沟道和硅衬底 中间形成一个应 变过渡层。大角度会聚束电子衍射 的动力学模拟结果与有限元计算结果符合很好。 关键词：应变硅 ；场效应晶体管；有限元方法；大角度会聚束电子衍射 中囤分类号 ：O613．7；TN386．1；TGI15．23；TGll5．215．3 文献标识码 ：A 随着半导体工业进入纳米时代 ，一直维持摩尔 氮化硅淀积到PMOSFET样品上。 110]截面透射 电 定律走势的器件缩放工艺已经走到了基本的缩放极 镜样品先经过机械减薄，然后氩离子减薄到适合 电 限，严重影响了器件构造的可行性及器件可靠性。 镜观察的厚度。由于 LACBED图中衍射花样上叠加 应变诱导的迁移率增强是基于应变引起的硅能带结 有低倍的样品阴影像 ，因此样品上的任何污染都看 构的变化 ，对于 目前 100nm以下的金属氧化物场效 得十分清楚，所 以必须保证样 品的干净和平整。常 应晶体管(MOSFET)来说是非常有吸引力的选择 ，这 规透射电镜观察和 LACBED实验是在装有 Gatan成 是因为它在显著地提高器件性能方面 ，优于任何一 像过滤系统(GIF)的PhilipsCM200型场发射 电镜上 项 目前存在的器件尺寸缩放技术。’。现在各种应 实施的，电镜工作电压200kV，整个实验过程在室温 变硅技术正在被半导体工业界采用，如衬底诱导 的 下完成。在电镜的纳米束模式下，完全弹性散射的 双轴应变 和工艺诱导的单轴应变 ’。最近徐秋 LACBED花样利用 GIF成像过滤系统和 CCD记录。 霞提出了一种简单，低成本的应变诱导工艺技术 ：预 常规的透射电镜观察显示 ，在器件的沟道区没有位 非晶化源漏区锗离子注入应变诱导工艺技术 (Ge 错等缺陷，在源和漏极区NiSi层下锗离子注入区域 PA1)’。在作者以前的研究工作中，利用大角度会 有很多缺陷，诸如小的位错环，层错 ，点缺陷等。Ge 聚束电子衍射的方法 (LACBED)在 GePAI工艺制造 在源漏区注入 的深度约 100nm，x射线能谱 (EDS) 的应变硅 P型金属氧化物场效应晶体管(PMOSFET) 实验结果显示源漏区NiSi层下，Ge在硅中的含量十 器件的沟道区发现了较大的压应变 (大约一2％) ， 分小，在硅中的含量约 1．2％，由于栅极及其隔离层 而 Ge离子的注入含量并不高。并提出了一个应变 的屏蔽作用，沟道区没有探测到Ge。 在应变增篓强模冀型的基础上 曼 2应变增强模型 ， 本文利用有限元计算方 x 曰 玉’。大工 法和动力学 LACBED模拟 的方法研究 了 PMOSFET 由于硅衬底较厚 的影响和薄膜驰豫。 ，在 器件沟道中的应变分布。 G PAI工艺诱导 的应变硅 PMOSFET中的应变系统