硅基zno系薄及其发光器件.pdf

浙江大学硕士论文 摘要 摘要 ZnO具有3．37cV的直接宽禁带，在室温下有相当高的激子束缚能(60meV)， 是潜在的电致紫外发光器件的半导体材料。当ZnO与CdO形成合金半导体 eV，因而可用于制备电致可见发光器 CdxZnOl-xO时，禁带宽度可以减小到～1．8 件。本文在硅基上制备了基于ZnO缺陷发光的电致发光器件，研究了其发光性 能；此外，利用反应磁控溅射法制备了Cd；Znl．xO薄膜，研究了其光致发光随热 处理条件的变化情况，为制备基于Cd。ZnhO薄膜的电致可见发光器件打下基础。 本文得到了如下主要结果； (Zn2Si04：ZnO)薄膜，形成硅基Zn2Si04：ZnO薄膜发光器件。该器件表现出良 好的整流特性；在正向偏压下，器件产生与ZnO缺陷相关的电致发光，发光强 度随着正向偏压的增大而不断增强，而反向偏压下器件不发光。基于该器件的能 带结构，初步解释了上述载流子输运和电致发光的机理。 利用直流反应磁控溅射生长了高度c轴取向生长的单一六方相CdxZnl．。O薄 膜，研究了热处理对薄膜的晶体结构和光致发光的影响。结果表明：(a)经过不 同温度(500．800 oC)常规热处理，随着热处理温度的升高，CdxZnl-xO薄膜中 Cd含量逐渐降低，且由于Cd的挥发而使薄膜出现孔洞，与此同时薄膜分相，而 oC 发光峰位由于薄膜中物相的变化而发生相应的变化。(b)经N2气氛下500．700 快速热处理(R1队)后的薄膜的光致发光强度显著提高。随着RTA温度的升高， Cd含量较低的薄膜始终保持单一六方相，近带边辐射发光峰位稍有蓝移；Cd含 量较高的薄膜中含Cd的ZnO相与含Zn的CdO相共存，其PL谱中出现与这种 物相相关的两个近带边辐射发光峰，且随着温度升高发光峰位蓝移。 关键词： 硅，ZnO，CdZnO，热处理，光学性能，发光器件 n 浙江大学硕士论文 Abstract Abstract ZnO a3．37eVdirect anda exciton possesses bandgapconsiderablyhigh binding a for of60meVat material energy being ultraviolet(or) temperature，thuspromising ZnOis withCdOtobe electroluminescence(EL)devices．Whenalloyed CdxZn01．xO， as一1．8 its Canbeaslow are eV．Therefore，CdxZn01．x0 energy alloys bandgap thevisible tobe in ELdevices．Inthis devicesbasedon expected