cu2znsnxse4-x薄膜太阳能电池吸收层材料的制备与表征.pdfVIP

cu2znsns。se4。薄膜太阳能电池吸收层材料的制各与表征 Cu2ZnSnSxSe4．x薄膜太阳能电池吸收层材料的制备与表征 摘要 的最佳带隙(1．4～1．5eV)，高吸收系数(104cm‘1)，且元素储备丰富，作为一种 理想的薄膜太阳能电池材料而受到人们越来越多的关注，克服了CdTe， CuInl．。Ga。Se2(CIGS)因材料稀有所引起的限制。多个研究组已应用热蒸发法，磁 控溅射法和软化学法等方法成功制备出了Cu2ZnSnS4吸收层。基于该类材料的太 阳能电池光电转化率从1996年的O．66％提高至2011年的8．4％。近年来，IBM 公司采用联氨溶液沉积吸收层的方法构筑了CZTSSe基薄膜太阳能电池，其转化 效率高达9．6％；Guo研究小组采用后硒化CZTS吸收层薄膜同样制备了CZTSSe 基薄膜太阳能电池，其转化效率高达7．2％。这说明Se元素在掺入能有效的提高 CZTS基太阳能电池的光电转化效率。但是联氨溶液沉积中用到的水合肼具有很 强的腐蚀性，不利于工业化应用。而且后硒化过程中，温度超过400oC时会导 致Sn元素的损失，使薄膜的化学计量比难以控制并能引起薄膜的不均匀。因此 合成纯相的CZTSse纳米晶，并将其构筑电池是具很大意义的。 迄今已有CZTS(Se)纳米晶以通过各种湿化学方法合成，但是实验过程复杂、 晶的基础上制备Cu2ZnSnS。Se4．x薄膜。主要内容包括： X射线粉末衍射，透射电镜对合成的纳米晶进行表征。结果表明合成了纯相 8．12啪。研究了反应温度、时间对产物的影响并探讨可能的生长机理。 2．在合成Cu2ZnSnSe4纳米晶的基础上，以一定比例的Se和S混合物取代 I o cu2znSns。se“薄膜太阳能屯池吸收层材料的制备与表征 平均直径为20～50l趣，且易团聚成片状结构。从X射线粉末衍射花样可以看出， 随着反应物中S量的增加，衍射峰的位置不断向右移动，这意味着有原子半径较 的增加，振动模不断蓝移，说明质量小的元素取代了重的元素。利用光致发光光 谱和紫外可见吸收光谱研究了固溶体系的光学性能，发现固溶体系的带宽受到S 量的调制。 ×20mm 行了表征。CZTSSe薄膜的物相和起始原料相比没有发生变化。虽然薄膜表面空 洞较多，但晶粒尺寸较为均匀，大部分颗粒尺寸小于l岬。同时研究不同热处理 温度对于薄膜质量的影响。选取厚度为2～3岬的CZTSSe薄膜，用水浴法在其 上沉积CdS薄膜，用导电银胶引出电极。采用半导体分析测试仪研究器件的I-v 特性，证明沉积得到的CZTSSe薄膜具有P型导电性。 O cu2znSns。Se4。薄膜太阳能电池吸收层材料的制备与表征 FabricatiOnandCharacterizationof Cu2ZnSnSxSe4．x ThinfilmSolarCenAbsorberMaterial ABSTRACT attractedmoreandmo托 Cu2ZnSnSe4(CZTSe)haVe Cu2ZnSnS4(CZTS)and wim协e absorbermaterialsf．orminfilmsolarceUs anentionasidealcandidate fortlle deViceof1．4—1．5 optimalband—gap singlejunctionphotoVoItaic eV，high 04 elemen诅l arenot