k575dx溅镀膜仪反应溅射制备zno薄膜的研究.pdfVIP

摘要 氧化锌是一种直接带隙的宽禁带II．Ⅳ族化合物半导体材料，在室温下禁带 宽度为3．27eV，激子结合能为60meV，具有良好的光电、压电、热电和铁电等 性能，可应用于短波长发光二极管、紫外激光器和表面声波等光电器件的制备， 近几年来引起了人们广泛的研究。 直流反应磁控溅射法(DCIUⅥS)是一种良好的镀膜技术，它结合了磁控溅 射和反应溅射技术的优点，采用直流电源和金属靶材，对设备要求低、耗能少， 是制备氧化锌薄膜常用的方法之一。K575XD离子溅射镀膜仪为英国Emitch公 司生产的高性能镀膜仪，装有磁控靶和双溅射头，可快速实现不同组成的高性能、 精细薄膜的制各；经适当改装后，在镀膜仪上增加反应气体的进气气路和基片加 热装置，可满足实验要求，用于直流反应磁控溅射氧化锌薄膜。 本论文主要针对氧化锌薄膜在光电领域的应用，在改装的K575XD离子溅 射镀膜仪上，应用直流反应磁控溅射方法研究高性能氧化锌薄膜的制备。实验中， 分别在不同的工艺参数下制备了氧化锌薄膜，并用SEM、XRD和拉曼光谱等手 段对制得的氧化锌薄膜的质量进行表征，研究基片种类、基片温度、溅射电流和 退火温度四个工艺参数对氧化锌薄膜的影响；基于各工艺参数对氧化锌薄膜质量 的影响的研究成果，得出了制备高性能氧化锌薄膜的最佳工艺参数，并对此条件 下制备的氧化锌薄膜进行了XRD、PL谱测试，结果表明薄膜具有良好的晶体结 构和发光性能。 关漕翻悯：ZnO薄膜K575XD离子溅射镀膜仪直流反应磁控溅射(DcRMs) Abstract anovelII-IVwideband semiconductorswitha Zinc-oxide(ZnO】is compound directband of3．37eVatroom anda excitonof60meV． gap temperaturelarge energy It’S a materialthatexhibitsexcellent unique thermoelectricand canbeusedto ferromagneticmultipleproperties，which prepare devicessuchas short-wavelength diode(LEDs)， photoelectric lightemitting ultravioletlaserdiodeandsurfaceacousticwavedevicesandSO hasbeen on，and studiedinrecent widely years． DirectCurrentReactive a of MagneticSputtering(DC砌MS)isgoodtechnique filmswhich combinesthe of andreactive preparing advantagesmagnetronsputtering directcurrentand metal lowers spuRedng．Itemploys pure spuReringtarget，which the fortheinstrumentsand to