sol-gel旋转涂覆制备zno薄膜及其光电性质的研究.pdfVIP

硕士论文 Sol-Gel法制备ZnO薄膜及其性质的研究 摘 要 性质相似，而且电子激发结合能大(60meV)，光致发光效率高，‘其制备技术简单，原 料丰富，有望取代GaN而成为新一代的短波光电材料。由于ZnO具有较高的化学稳 定性和独特的光学性质，通过适当的掺杂可明显提高薄膜的光电性能，使其在太阳能 电池、传感器、光催化等领域具有广阔的应用前景。 本文通过溶胶．凝胶(S01．Gel)法在玻璃衬底上旋转涂覆制备ZnO薄膜。采用X射 紫外．可见分光光度计(UV-Vis)和四探针法等表征手段分析了薄膜的结构、形貌和光电 性质。研究发现，该方法可以在玻璃衬底上成功制备具有纤锌矿结构的ZnO薄膜。通 过控制实验参数，可以得到沿(002)面择优生长的高质量薄膜，最佳工艺条件是：二水 膜(002)方向的择优取向生长，电阻率随着砧”的掺杂浓度增加先减小后增大。提高退 火温度，有利于改善薄膜质量，增强薄膜在紫外边带的光致发光现象，N2气氛下退火 X 可以降低薄膜的电阻率。本文得到薄膜最低的电阻率为2．410．2Q·cm。 研究了掺Ag+l拘ZnO薄膜对亚甲基蓝(m)光催化的影响并探讨了催化机理。ZnO 薄膜掺杂hg+后可明显提高对MB的催化效果，反应3．5h降解率为93．93％，与未加催 化剂相比，降解率提高了33．81％，与纯ZnO薄膜相比，降解率提高了12．24％。A矿 掺杂量为1．5at％时催化效果最好，降解率可达98．42％。 关键词：ZnO薄膜A1掺杂电阻率Ag掺杂光催化 硕士论文 Abstract ’zIlo directwideband isaII-VI has group gap(3．37eV)semiconductormaterial，which with thesimilarstructureandelectrical theGaNsemiconductor．Becauseof properties high electron bindingenergy(60meV)，lightemittingefficiency,thesimple preparation andrichraw is to GaNasanew of technology materials，ZnOexpectedreplace generation short has and wavelength material．Besides，ZnOhi曲chemicalstability optoelectronic Can the thin obviously of films uniqueopticalproperties，it improvephotoelectricproperties hasbroad intheSolar throughappro