电子束蒸发沉积杂tio2薄膜的结构控制及其性质研究.pdfVIP

硕士论文 电子柬蒸发沉积掺杂Ti02薄膜的结构控制及其性质研究 摘 要 近几十年来，Ti02作为一种在紫外光和可见光区都具有高响应的光电材料，由于其 独特的优点，如无毒、热稳定性好、高效的光催化活性，一直是研究热点。但是，Ti02 禁带宽度大，在紫外光区具有高响应和高的电子空穴复合率，其广泛应用受到了限制。 为了有效的利用可见光区和降低电子空穴复合率，对Ti02薄膜的改性引起了广泛的研 究兴趣。 本文采用电子束蒸发法制备了掺杂La203的Zi02薄膜，研究掺杂元素La的含量、 测试手段对所制备薄膜的晶型结构、表面形貌和成分进行了表征，用紫外．可见分光光 钛矿相向金红石相的晶型转变，薄膜形貌随掺杂比例及基底材质的不同发生明显变化， 且掺杂后的Ti02薄膜吸收带边发生红移，禁带宽度变窄，吸收波长范围变宽。特别地， 粒径最小，禁带宽度最窄。 采用电子束蒸发法制备了掺杂Si的Ti02薄膜，考察了四种不同基底、不同退火温 度分别对薄膜结构、成分和形貌的影响。研究发现，退火温度对Si．Ti02薄膜的结构和 形貌有很大影响，且Si的掺杂提高了Ti02薄膜的热稳定性和晶相转变温度。 丹明B溶液中，考察薄膜在不同初始浓度的罗丹明B溶液中及不同光源作用下的降解 效果，探讨薄膜的制备工艺参数对其光催化活性的影响。 关键词：电子束蒸发；La掺杂；si掺杂；二氧化钛薄膜；退火处理；光催化 Abstract 硕士论文 Abstract materials谢t11a Over few asoneofthe functional hJ【gh past years，Ti02 optoelectronic toUVandvisibleisofinterestdueto thermal stability，the response light non-toxic，the high scale of thinfilmasmutual Ti02 photocatalyticactivity．However,thelarge application is thewide and recombinationrateof photocatalysthamperedby band-gaphigher andreduce electronsandholes．To theuseofvisible photo—generated effectivelyimprove recombinationeffortshavebeenmadeto of electron-hole Ti02． rate，great modify In thinfilmswere electronbeam method． this work,La-Ti02 depositedby evapor