掺杂碲化铋热电膜的电化学制备和性能.pdfVIP

摘要 热电材料进行纳米低维化和掺杂改性可以进一步提高其热电性能。电化学沉积技术是 目前研究较多的热电材料薄膜制备方法之一，具有工艺简单、成本低、易于控制材料 的化学成分、结晶组织和晶粒大小等优点。本论文的主要目标是采用电化学方法，通 过元素掺杂来制备结构致密、不易开裂，且具有一定热电性能的掺杂Bi2Te3热电薄膜。 通过选择掺杂Bi2Te3基热电材料作为研究对象，采用循环伏安技术对Bi．Te．P三元体 系， 研究。利用恒电位的电化学沉积方式，在不锈钢基底上制备出不同元素掺杂的Bi2Te3 基薄膜材料，并研究薄膜组织结构的变化以及薄膜结构成分对材料热电性能的影响。 研究表明，室温下沉积电位为．200 mV时得到的近化学计量比的单相磷(P)掺杂 原子层间，形成P原子夹层，薄膜霍尔系数为．1．76×lO之m3／C，热导率为0．47 W“m·K)， 仅是块体材料的三分之一。沉积电位为．230mV时，P掺杂Bi2Te3薄膜的最大电导率 为345 薄膜，其最大电导率高达1450S／cm，P和Ni原子的共掺杂量达到4．01％；沉积电位 为．70mv时，P．Co共掺杂的Bi2Te3薄膜的最大电导率达757S／cm，P和Ni原子共掺 杂量为3．34％。因此，在室温范围内，多元掺杂能够提高材料的电导率，是改善材料 温差电性能的有效方法。 且通过改变沉积电位，可以实现P掺杂的Bi2Te3薄膜结晶取向的改变，但沉积电位 以改变P．Co共掺杂的Bi2Te3薄膜的结晶取向。 关键词：热电薄膜电化学沉积掺杂碲化铋 Abstract t0betllebeSt ne havebeenconsi(蛔ed Bi2Te3 compounds the咖oelectric(TE) materialsill atne甜room dimensional commercial印plic撕onstempe豫tu∞．Low ma：terials and modiflications meTE of ch肌伊s doping c觚significantly呻r0VeBi2Te3 o∞ofthemoSt studied depositi∞tec量lnolo科iscommonly compo啪ds．Elec们chemical tocontrol TEtllinfilms．Itis coSt，锄deasy the memods证prep盯ing simple，low chemical sizeofthematerials．Themainresearch composition，c哆stallization锄dgrain t0 TEthinfilmswithout ofmisworkwaS tlle Bi2T．c3-baSed objectiVe prcparcdoped TE cenain