多元醇溶液化学成sns纳米晶及其薄膜.pdfVIP

摘要 摘要 窄带的Ⅳ．Ⅵ族半导体由于其良好的光电效应被广泛应用于红外一近红外探 cV，间接带 测器、太阳能电池、继电器等领域中。其中SnS具有直接带隙1．3 隙1．1eV，对可见光有很好的吸收，吸收系数104cm1，理论光电转换效率为 25％，可作为太阳能电池的P层吸收材料。 、 本文以二乙二醇为溶剂，氯化亚锡和硫代乙酰胺为反应的锡源与硫源，加 入分散剂及碱性添加剂，研究SnS纳米晶的合成。实验采用回流制备SnS纳米 晶，考察了各种工艺参数，如前驱体种类、注入方式、回流温度、回流时间、 添加剂等对合成SnS纳米晶的晶型、形貌以及光学性能的影响。 结果表明，后注阳离子源的方式可以得到晶粒细小的纳米晶；用硫代乙酰 胺做硫源可以调节纳米晶生成过程的反应速率，进而控制产物的大小及形貌； 反应时间和反应温度，可以改变纳米晶的尺寸；添加剂的种类以及添加量对产 物的晶相有明显的影响。 在以三乙醇胺为添加剂的体系中，添加量较少时，生成闪锌矿结构的SoS， 为片状形貌；添加量较高时，生成正交结构的SnS，为形貌棒状。回流时间和 回流温度对产物的粒径大小及形貌影响不大，而添加剂的量对产物的物相及形 貌影响较大。在以氨水为添加剂的体系中，生成的产物及添加剂的影响规律与 7,醇胺添加剂体系类似。水合肼添加剂体系中，主要得到晶粒细小、球状形 貌、正交结构的SnS纳米晶，回流温度及回流时间对纳米晶产物的形貌影响较 大。通过控制回流温度及时间，可以得到不同尺寸8～13nm的纳米晶。闪锌矿 与正交结构的SnS纳米晶在光学性能上有较大的不同，正交结构具有直接带隙 1．3 eV，但二者均有较好 eV，间接带隙1．1eV，而闪锌矿结构具有直接禁带1．7 的化学计量比。 通过挑选分散性良好的纳米晶配制墨水，进一步用浸渍提拉法制各薄膜。 制备的薄膜表面平整致密，但是不稳定，热处理时容易造成化学计量比的偏离 及物相发生变化，生成SnS2。 关熊词：SnS纳米晶添加剂 闪锌矿结构 正交结构SnS薄膜 ABSTRACT haveheenwidc usedinfieldsof Narrowba IV二Ⅵsemiconductorsly ndgap ndte olarcellsa lecommunications OR)detctors，S near-infrared(NIR)．infrared fort heirexcellentotoelectrice sessesdirect rehys ph fleet．Thereinto，SnSpos with ofvisible 1．3eV,indnct absorption light optical bandgap bandgap1．1eV,good sohrcell hotoclectriee of25％for absorbame104cIlrl．andtheoretical mciency