高压zno压敏瓷的制备与性能研究.pdfVIP

高压ZnO压敏陶瓷的制各与性能研究 摘要 自从1968年日本松下电器公司研发了ZnO压敏电阻器以来，便因其 具有较低的成本和优异的电学性能已成为电子与电力领域作为过电压保护 必不可缺少的元件而被广泛应用，并已成为制备避雷器的核心部件。由于 高压输变电和集成化电路的发展需要以及环保节能要求，制备高压ZnO压 敏电阻已成为目前研究热点。本文对ZnO压敏电阻导电机理进行了讨论， 并系统研究了高压ZnO压敏陶瓷的制各及其相关电学性能改性。 EDS等测试结果表明稀土氧化物的引入，不仅改变了尖晶石第二相的生成 方式，使其具有细小的颗粒尺寸，而且能生成含稀土元素的相也钉扎在ZnO 晶界，从而抑制了氧化锌晶粒的生长，均化了该材料的微观结构。另外， 稀土添加剂在压敏电阻烧结过程中使ZnO晶体的自由电子浓度增大，填隙 锌离子的总浓度下降，使填隙锌离子的传质能力下降，进而也起到了抑制 学性能。然而，由于Y203是施主掺杂，其提供的大量电子造成了ZnO肖 特基势垒的降低，从而降低了非线性系数，并增大了漏电流，从而不利于 由于烧成温度影响到了微观组织的分布和ZnO晶粒生长，从而影响到压敏 电阻的电学性能。实验得出最佳烧成温度为1150 砒．％时，该压敏电阻具有最佳电学性能：压敏电压为340 V／mm，非线性系 数为44，漏电流为0．4 gA。 为研究基础，引入了硝酸盐热分解法和高能球磨法。通过对相组成、微观 结构和电学性能的分析和测试可知，利用硝酸盐热分解法能极大地细化添 加剂粉体的颗粒细度及改善颗粒分散均匀性，从而使得纳米级添加剂在试 样烧成过程中起到限制ZnO晶粒长大的作用，从而提高了电学性能。利用 硝酸盐热分解法可以制备出结构组织均匀、电学性能优异的压敏电阻片。 在烧成温度为1150 V／ram、漏电流大约为O．7 oC时，压敏电压大约为480 pA 和非线性系数为44。 高能球磨可制备晶粒尺寸细小、均匀的ZnO压敏电阻粉体，该粉体的 oC左右。 最佳烧成温度为1100oC，较传统球磨方法的烧结温度下降了100 高能球磨并没有改变ZnO压敏电阻的物相组成，但使其晶粒更加均匀、细 h，烧结温度为1100 小，当高能球磨时间为7．5 oC时，其对应的电学性能 分别为：压敏电压大约为542 V／mm，漏电流大约为2．88肛A，非线性系数 为47。 最后，以氧化锆球作为球磨介质，讨论了不同球磨时间对ZnO压敏电 阻微观结构和电学性能的影响。由于制备压敏电阻的粉体经过高强度球磨， 使得颗粒混合更加均匀、变小，从而制备了微观结构均匀、细小的ZnO压 敏电阻，与高能球磨法相比，有效降低了球磨介质钢球引入的铁污染。其 球磨时间为10h，烧成温度为1075oC时，制备的压敏电阻具有最佳电学 性能：压敏电阻565V／mm，非线性系数为75和漏电流为O．45 pA。 关键词：ZnO压敏电阻，稀土掺杂，高能球磨，微观结构，电学性能 Ⅱ SISANDPROPERTIEVOI卫AGE SYNTHE SOFHIGH GRADIENTZnO VrARISToRS ABSTRACT Since1968，ZnO MatsushitaElectric