ba3mgsio8eu2,mn2+荧光粉的非均相沉淀法制备和表征.pdfVIP

中文摘要 摘要 目前白光发光二极管(white diode，WLED)的主流方案是：用 light-emitting InGaN的蓝色LED(1ight-emitting 粉。但这种WLED因发光颜色随驱动电压和荧光粉涂层厚度的变化而变化，显 色指数低。为解决上述问题采用近紫外发光二极管(near-ultraviolet light-emitting diode，near-UVLED)的激发下，混合可产生蓝红双色光的纯相铕锰共掺杂硅酸 的一个创新方案。 在近紫外激发下，虽可发射绿光，但其含量难以控制。因此制各纯相的 均匀，它们彼此反应所需的扩散距离更为缩短，从而固相反应更容易发生，很有 希望降低合成温度并提高荧光粉的相纯度；产物颗粒较易呈球形，将提高荧光粉 的发光性能。 本研究按制备工艺的不同分两部分。第一部分是，用高温固相反应法制备 Eu2+，Mn2+荧光粉；各部分都研究了制备工艺参数对荧光粉的相纯度和发光强度 的影响。所获结论如下： 荧光粉所获结论： 在1200℃热处理4 合成的样品主晶相发射峰强度、相纯度比微米级Si02的低。按Ba3MgSi20s、 Sr3MgSi20s、Ca3MgSi20s基顺序的荧光粉，激发强度和发射强度都逐渐下降。 粉所获结论： (1)印证了435 中文摘要 的5d一4f跃迁发射；605 Mn2+离子的3d5能级的4Tl_6Al跃迁发射；500hill绿光发射来源于Ba2Si04晶 格上置换Eu¨的5d叶4f能级跃迁。 (2)在1150℃热处理4 h时，已有BaaMgSi209晶相形成，此热处理温度 hi／1蓝光和 比高温固相反应法低。Eu2+含量x=0．02，Mn2+含量Y=O．1时，435 605 mol／L、 ILrn红光发射最强。确定了(NH4)2C03过量30％、金属离子浓度为O．30 沉淀反应温度为40℃、采用反向滴定、加入Si4+偏离化学计量比的量为10％、 助熔剂添加量为20～30％时可以获得最佳的相纯度和发光强度。 关键词：纯相；发光强度；白光LED：助熔剂 Ⅱ Abstract Abstract Thecurrentmainstreamofthefabricationforwhite light-emittingdiode(WLED) iscombinationofablue light·-emittingdiode(LED)andyellow-·emittingphosphor Howeversuchawhite deviceshasalowcolor YAG index Ce，+doped light rendering bccausethe fromit witllthevariationofdrive and emissioncolor changes voltage thickness．Oneinnovative tofabricateWLEDistO phosphorcoat