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CaCu3Ti4012陶瓷介电性能的研究 摘要 随着微电子技术的发展，电子行业对高介电电容器件(电容器、谐振器、 滤波器)和存储器等微电子器件集成化、智能化、微型化的需求越来越高。 高热稳定性等优异性能受到了广泛的关注。这些优异性能为CCTO陶瓷在 电子行业地应用提供了良好的前提条件，但是相对较高的介电损耗值一直阻 数的产生机理由至今尚存争议，因此制备具有高介电常数和损耗相对较低的 CCTO基陶瓷系统，并探讨相应的介电机制成为了一个有意义的课题。本文 基陶瓷的制备方法、物相组成、微观结构，以及介电性能等方面进行了研究。 将其作为后续试验的基础原料。制备CCTO陶瓷时，将烧成温度由 CCTo陶瓷的平均晶粒尺寸明显增大，介电常数也相应升高，这说明在不进 行任何工艺改进的前提下，CCTO陶瓷需要在高温下长时间保温才能获得巨 介电常数。因此，CCTO陶瓷的微观结构对于其性能有着至关重要的影响， 获得大尺寸晶粒和减少微观缺陷是提高陶瓷性能的关键因素。在晶粒的生长 过程中，立方形的CCTO晶粒以“面．顶、“面．棱”、“棱．棱”等接触方式 温度范围内，发生了弥散相变。这说明在这一温度范围内，CCTO陶瓷具有 铁电弛豫的一些特征。 X 的电阻率由4．4×106Q·cm下降至2．2 时，晶界的电阻率又回升至3．7×106Q·cm。晶粒的电阻率变化并不明显， 有由半导晶粒组元与绝缘层组元组成的微观电异质结构，这一结构的尺寸效 应与电性能变化对其介电性能有很大的影响。 本文以调节CCTO陶瓷电异质结构各组元的尺寸与电性质为目的，进 行了后续试验，在不同体积比例的N2和02的混合气体中制备了CCTO陶瓷， 并对它的介电性能进行了探索。随着气氛中氧气体积比(z)的增加，CCTO 基陶瓷多种介电现象。由IBLC模型可以推得，在室温下CCTO陶瓷的介电 损耗主要决定于阻挡层的电阻。 损耗，烧结气氛 Ⅱ INVESTIGATIoNoNTHEDIELECTRIC PRoPERTIESOF CERAMIC CaCu3Ti4012 ABSTRACT 晰ththe ofmicroelectronicthe development technology, more forthe and industryis‘demanding miniaturization， integration ofthe intellectualizationmicroelectronicdevicessuchas and and components(capacitors，resonatorsfilters) CCTohasattracted interestsbecauseofthe perovskite．1ike increasing giant dielectric theorder of104’1withweak and constant(of frequency thismaterialiSlead．free．Theseexcellent ofCCTO dependence