nc-tinasi3n4纳米复合薄膜的制备与性能研究.pdfVIP

中文摘要 采用实验室自行设计的FDJ600 型高真空多功能薄膜沉积设备，通过离子束溅射、 磁过滤阴极弧等离子体沉积、射频耦合感应离子源相复合的方法在单晶硅表面沉积了 nc-TiN/a-Si N 单层、多层纳米复合薄膜；考察了不同沉积参数对薄膜的结构及机械性 3 4 能的影响。主要研究内容和结果如下： 1. 不同Si 含量（at%）的nc-TiN/a-Si N 纳米复合薄膜的制备与机械性 3 4 能研究 采用离子束溅射与磁过滤阴极弧等离子体共沉积技术在单晶硅片(400)表面沉积了 不同 Si 含量（at% ）的TiN/Si N 纳米复合薄膜；分析了复合薄膜的成分和结构，测定 3 4 了其硬度、弹性模量、摩擦系数、磨损率及膜基结合强度，探讨了 Si 含量对薄膜结构 和机械性能的影响。结果表明，Si 含量对 TiN/Si N 纳米复合薄膜的表面形貌、结构及 3 4 微观机械性能都有较大的影响。薄膜中Ti、Si 分别以纳米氮化钛（nc-TiN ）和非晶氮化 硅（a-Si N ）形式存在，其中TiN 沿（200 ）面择优取向；纳米硬度测试表明，薄膜硬 3 4 度处于22~26 GPa 范围内，薄膜与氮化硅偶件对摩时的摩擦系数在0.13~0.17 之间。当 薄膜的Si 含量为10.9%时，其硬度最大(25.6 GPa)，摩擦系数、磨损率、膜基结合强度 最低。随着Si 含量的继续增加，薄膜的摩擦系数、磨损率和膜基结合强度又逐渐增加。 由此可知薄膜的微观机械性能与Si 含量密切相关。 2. 偏压对nc-TiN/a-Si N 纳米复合薄膜的结构与机械性能的影响 3 4 采用离子束溅射与磁过滤阴极弧等离子体共沉积技术在单晶硅片(400)表面沉积了 nc-TiN/a-Si N 纳米复合薄膜，测定了不同基底负偏压下制备的nc-TiN/a-Si N 纳米复合 3 4 3 4 薄膜的表面形貌、结构和机械性能，探讨了基底负偏压对其成分、结构和机械性能的影 响。结果表明，基底负偏压对nc-TiN/a-Si N 纳米复合薄膜的结构和机械性能有较大影 3 4 响。随着基底负偏压的增加，薄膜的沉积速率大幅度降低。在-100 V 基底负偏压下制备 的薄膜的Si 含量（at% ）最高、Ti 含量（at% ）最低。在0 ~ -300 V 范围内，随着负偏 压的增加，薄膜中的TiN 择优取向面由（200 ）转变为（111）；当负偏压达到-300 V 时， IV 薄膜中的TiN 转变为非晶形态。薄膜中的TiN 以多晶形式存在，柱状晶在-100 V 偏压 下变得较为致密、均匀。非晶Si N 包覆在TiN 纳米晶粒周围，择优取向较为明显。当 3 4 基底负偏压为-100 V 时，薄膜的硬度达到46 GPa ，出现超硬效应，此时薄膜的氧含量 最低。与此同时，-100 V 时薄膜的表面粗糙度降至最低，膜基结合强度最高；随着偏压 的继续增加，薄膜的表面粗糙度逐渐增大、膜基结合强度逐渐降低。综合看来，偏压-100 V 时制备的nc-TiN/a-Si N 纳米复合薄膜的综合性能最佳。 3 4 3. nc-TiN/a-Si N 纳米复合多层薄膜的制备与机械性能研究 3 4 采用离子束溅射与磁过滤阴极弧等离子体共沉积技术在单晶硅片(400)表面沉积了 硬度由低到高的 nc-TiN/a-Si3N4 梯度多层纳米复合薄膜，研究了其表面形貌、内部结构 及机械性能。结果表明，与纳米复合单层膜相比，纳米复合多层梯度膜均存在超硬现象。 随着较高硬度单层厚度