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2015-12-01 发布于四川
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p-型cu3g5te9基半导体材料的结构及热电性能研究

P[2型Cu3Ga5Te9基半导体材料的结构及热电性能研究摘要原子空位)虽然浓度可以很高，但在Coulomb引力作用下该阴阳离子会产生湮灭，因此本征情况下黄铜矿结构半导体的载流子浓度和电导率往往不高。但是，Cu3GasTe9半导体却具有相对理想的载流子浓度n (-1025m-3)，因此具有提升热电性能的巨大潜力。本课题通过设计不同元素替换，研究三元Cu3Ga5Te9基半导体材料的成分、结构及与热电性能之问的关联。主要研究结果总结如下： 1、采用Sb元素同时非等电子替换Cu和Te元素，设计制成 Seebeck系数和电导率提升的现象。这些电学性能的改善与载流子浓度和有效质量的增大及迁移率基本维持不变有关。载流子浓度的提高是由于Sb原子占位在Te晶格位置后费米能级进入到价带所产生的空穴掺杂效应所致，同时也与Cu含量减少后铜空位(v口1Cu)浓度增大相关联。另外，非等电子替换后，阴离子(Te2口)移位导致了晶格结构缺陷参数”和叩的改变，其改变量△“和△叩与材料晶格热导率(甩)的变化密切相合金的ZT值达到值0．6，比Cu3GasTe9的ZT值高25％。万方数据化不大，电导率有较大提升，热导率大幅度下降。在721K时x=0．1样提高了65％。采用Mn替换Ga，四元化合物 Te或GaD 三元Cu3Ga5Te9中的CuDTe的键能，证实了Mn元素已经固溶在化合物中。替换后的材料最高ZT值为O．59(737K)。关键词：Cu3GasTe9，黄铜矿结构，热电性能，非等电子元素替换，阴阳离子缺陷对，能带结构万方数据 STRUCTURESANDTHERMOELECTRICPROPERTIES0F P口TYPE Cu3GasTe9SEMICONDUCTORS ABSTRACT Cu3GasTe9isoneofthe series I-III—V12 typical s臼mctlJre．Inthesesemiconductorsthereis aninherent chalcopyrite Coulombattractionbetween Gacu2+andnativedefect charged 2Vcu-(a pair, Ga—on_CuantisitesandtwoCu hasa i．e．，metal vacancies)which profound effectontheelectronicandstructural the concentrationofthedonoror defectCanbe are acceptor hi．gh，theyeasily annihilatedundertheinherentCoulomb semiconductorhasa idealcarrier relatively concentration咒(-1025m一3)，it thereforehasa to thethermoelectric this potentialimprove