plzt反铁电料.pdfVIP

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plzt反铁电料

摘要 本文采用传统金属氧化物固相反应法合成了几个系列的反铁电材料。首先合 系统的影响;然后以反铁电态的镧掺杂的锆钛酸铅(PLZT)为基体,研究三氧 化二铁和氧化锌的掺杂对系统性能的影响;最后阶段同样是以反铁电态的锆钛酸 铅(PLZT)为基体,采用传统的添加烧结助剂的方法研究其低温烧结,添加的 烧结助剂为Li2C03、Bi203。 研究发现,在PLZT(0.07_x50.18)试样中,室温下随La3+含量增大,材料由 La3+稳定了PLZT反铁电相系统,该系统反铁电陶瓷的电场诱导AFE.FE转变呈 现了弥散相变的特征,“窄、斜”型双电滞回线反映了PLZT多元复杂化合物反 铁电陶瓷内部化学组分的纳米尺度非均匀性。 Fe203和ZnO的掺杂,有效地降低了体系的相对介电常数和介电损耗,同时 明显提高了体系的居里温度,减弱了体系的相变弥散度。但是随掺杂量的过大, 材料的介电性能会有所恶化。 适量的Li2C03、Bi203可显著降低烧结温度和改善低温烧结陶瓷的介电性能。 但过量掺杂Li2C03、Bi203陶瓷的气孔率反而增加,陶瓷的致密性降低,晶粒均 杂时,大部分进入晶格,降低烧结温度的效果更加好一些。当Bi203含量为 190 ℃,而且具有高的综合性能。 关键词:PLZT反铁电掺杂低温烧结 ABSTRACT Inthis thetraditional severalseriesof reaction,we paper,using solid-phase got zirconate anti-ferroelectric anti—ferroelectriclead materials.First,we got La-doped the ofthe asafunctionofLa3+content titanate(PLZT),researchsystem properties and was asbasicmaterial.Itwas withferricoxide Zr/Ti.Then,PLZT prepared doped andzinc the ofthe asafunctionofferricoxideand oxide,research propertiessystem as thetraditional zincoxide.Atthe wasalso basic last,PLZT preparedmaterial,using methodsto the was withlithium study sintering,it adding low-temperature doped oxideandbismuthoxide. found 0.1 ofmaterialfrom S that,inPLZT

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