psn-pzt电陶瓷的性能研究.pdfVIP

摘要 本实验通过传统的固相合成法制备了PSN-PZT体系压电陶瓷，通过XRD分 析、SEM显微结构观察、机电性能测试，通过对PSN．PZT体系压电陶瓷进行调 影响，找出最佳性能的PSN-PZT陶瓷组成。 通过实验对比不同合成温度下的样品性能，确定了PSN-PZT体系最佳合成温 取代位置为钙钛矿结构的B位。 2)量对体系的影响，实验结果表明随着(Sbv 通过研究Zr／Ti比和(Sbl／2Nbv 2Nbl，2)量的增加，四方相减少，三方相增加，准同型相界向四方相移动，综合性 通过研究配方为Pbl。Ba。(Zro．52Tio．48)098洲bl／2Sbl／2)o．0203体系来探讨不同Ba2+ 取代量对陶瓷结构和性能的影响，随着Baz+取代量的增加，四方相减少，三方相 增加，c／a减小，准同型相界向四方向移动，并在x--4m01％性能最佳，性能参数 为：d33=467pC／N，kp=74．5％，s乏／so=2356，tan6=1．45％。 通过研究不同CeO。掺杂量对陶瓷结构和性能的影响，组成为 Pbo 0603+xwt．％CeOz，当Ce02掺杂量为3wt．％时， 93Bao．07(Zro．52Ti0．48)094(Nbl／25bl／2)o Tc=255℃。 通过外加Zr0，来确定球磨用的球是否对实验结果有影响。实验结果表明，在 s毛／s。=2663，tanS=2．45％。 关焖：PSN．PZT压电陶瓷Ce。+和Ba2+掺杂改性压电性能介电性能 ABSTRACT were conventionalsolid PSN．PZT ceramics by piezoelectric prepared system of method．TheeffectsofZr／Tiratio effects solution I／2Nbl／2)content，the and(Sb andtheeffectsof onthe ive are Zr02 performance Ce02 doping comprehens doping the ofthe anddielectric analysisedby comparisionpiezoelectric properties．The of andthe Zr／Tiratio effectsCe02 effectsof and(Sbl／2Nbl／2)content,thedoping werediscussed effectsof onthePhasestructureandmicrostructure by Zr02 doping the electronic diffraction(XRD)andscanning X．ray