氮化铝基复相材的制备及其微波衰减性能的研究.pdf

直蛊工业太堂煌士坐位论文 ! 摘要 ／ ＼ Acoustic Wave) 独特的物理性质和电子学特性，在微电子、光电子和SAW(Surface 器件中得到了广泛应用。近年来，人们在研究AIN．SiC系统中发现，由于二者在原 子尺寸、分子量、密度以及晶体结构上的相似性，一定条件下能形成AlN．SiC固溶 体。随着固溶体的形成，材料的烧结活性、显微结构、力学性能及功能特性均得到 较大程度的改善和提高。因此，在刖N．SiC二元相图的指导下，寻找合成AIN—SiC 固溶体适宜的工艺路线，深入系统探讨地A1N．SiC固溶体的形成条件，从而实现利 用固溶体技术，优化改性AlN．SiC微波衰减材料的研究，不仅具有重要的理论意义， 而且对于拓宽A1N．SiC系统微波电子器件的应用领域具有重要的实际意义。 以碳化硅(SIC)为衰减剂，氮化铝(AIN)为基质，采用热压烧结工艺制备高性能 AIN．SiC微波衰减材料是本课题研究的最终目标：而利用固溶体合成技术，通过工 艺参数的优化，制备具有理想微观结构的A1N．SiC固溶体陶瓷，以获得高性能微波 衰减材料是本课题的研究手段。因此，工艺路线的选择和工艺参数的优化是形成 、 A1N．SiC固溶体的关键所在。户一矿一 ／ 本论文首先从物理学和材料学的观点，较为系统地分析了微波衰减材料的电磁 性能、热物理性能及微波衰减剂电磁参数的匹配与最佳化等理论，为微波衰减材料 的设计与研究提供了可靠的理论依据。结合材料设计思想，对微波衰减材料进行了 组成设计、显微结构设计以及工艺路线的设计，以此指导本论文的研究工作。 在合成AIN．SiC复合超细粉的研究中，通过热力学计算，分析了采用碳热还原 法、原位化学合成法、硅粉碳化法及元素固相反应法四种工艺路线合成AIN．SiC复 合粉末的热力学趋势，绘制了各反应系统的热力学平衡相图：以此为指导，系统地 研究了不同工艺路线及工艺参数对合成粉末物相成分、粒度及形貌的影响，结合 XRD分析和DTA．TGA分析，初步探讨了四种工艺路线的反应机理。 系统研究了四种工艺路线对形成A1N．SiC固溶体的影响。f结果表明，采用原位 ＼ 的主晶相由富Al相和富si相两种晶相组成，随着保温时间的延长，通过扩散机制， 蜜枣王些奎堂堡圭茎堡鎏塞 鱼些堡萎墨塑垫塾些型垂垦基墼鎏壅蕉丝§邀ll曼 富A1相和富Si相逐渐相互融合，1900。C、3h时，形成了单相A1N—SiC均质固溶体， 化学组成为：Si3A14N4C3：而采用硅粉碳化法和碳热还原法，相同条件下得到的粉 末主晶相为AIN、SiC两相复合粉末，并没有得到A1N-SiC固溶体。本论文从固体 缺陷活化能的角度对这一现象给予了合理地解释：原位化学反应法合成A1N—SiC复 合粉末时，反应过程中，A1N是在低温下形成的(800C～1400‘C)，晶体发育不完 善，晶格缺陷较多，具有较高的反应活性，有利于Si、c原子在A1N晶格中扩散、 迁移，从而较易形成A1N．SiC固溶体；而采用硅粉碳化法合成A1N-SiC复合粉末时， AlN是作为原料参与反应的，晶体发育完善、缺陷少，反应活性相对较低，不利于 Si、C原子在A1N晶格中扩散、迁移，因此采用该法不易形成AIN．SiC固溶体。 v影 ， 本论蓟对原位化学合成法制备A1N—sic固溶体的形成机理作了深入探讨。(研究 ／ ＼ 、 表明：AIN．SiC固溶体的形成机理可以表述如下五个步骤： 1)反应温度在800℃～1400。C范围内，Al粉首先氮化为A1N