SiCl-%2c4-%2fH-%2c2-外延生长单晶硅反应机理的理论及研究.pdfVIP

SiCkJH2外延生长单晶硅反应机理的理论研究 SiCh／H2外延生长单晶硅反应机理的理论研究 研究生：李钠 指导教师：孙仁安 学科专业：物理化学 中文摘要 作为硅源，在常压氢气氛下实际外延生长单晶硅的整个过程的微观反应机理进行了理论 研究。计算得到了各反应通道中的反应物、过渡态和产物的构型，给出了每个反应通道 的反应活化能。对所有过渡态的虚频振动模式进行了分析，并进一步作IRC(内禀反应 坐标)路径分析，来最终确认我们所找的过渡态是准确的。 生成硅原子。分别用Si2、si4、Si9H12原子簇模拟硅衬底，计算结果表明：在气相中不能 直接生成的si原子可以在硅衬底上生成并吸附于衬底上，从而完成晶体生长。SiCh吸附 后的产物与H2的反应均要低于其在气相反应中所需的活化能，因此反应主要在村底上发 生，且村底在反应中起到了一定的催化作用。用TST方法计算了在900．1600K温度范围 内备反应的速率常数，可以得到：整个气相反应的决速步为反应的前两步。而SiCI。在衬 底表面吸附过程速率常数很大，反应很快。硅衬底表面吸附分解后的产物与I-12间的反应