第五章化合物半导体器件.pptVIP

转移电子器件 转移电子器件（transferred-electron device） （a）器件结构 （b）伏安特性 三周期负阻振荡器结构和伏安特性 隧穿热电子晶体管 隧穿电子晶体管（Tunneling Hot Electron Transistor），电子是通过隧穿通过势垒的 E是谐振隧穿结构的分立能级位置 集电极和发射极之间的电压恒定VCE 改变基极和发射极之间的电压VBE 第五章 化合物半导体器件 异质结双极晶体管 化合物半导体场效应晶体管 量子器件与热电子器件 光电器件 异质结双极晶体管 异质结双极晶体管（Heterojunction Bipolar TransistIor，HBT）是指晶体管中的一个或两个pn结由不同的半导体材料所构成 化合物双极型晶体管大多采用异质结构 提高双极型晶体管电流增益：提高发射极注入效率 异质结构可以提高pn结的注入比，可以提高晶体管的注入效率 HBT的基本结构 Npn HBT结构的截面图 n型发射区：宽禁带AlGaAS p型基区：窄禁带GaAs 集电区：低掺杂和高掺杂的n型GaAs 发射结为异质结，集电结为同质结——单异质结双极晶体管 在发射区接触和AlGaAs层之间加一层高掺n型GaAs层——形成欧姆接触 发射区和基区材料间的禁带宽度差 ——提高共射电流增益 突变结和组分渐变异质结 （a）突变发射结HBT的能带图 （b）渐变发射结HBT的能带图 HBT的增益 理想I-IBT的增益：共射极电流增益β NB、NE分别为基区受主和发射区施主的浓度 器件的放大特性除了与掺杂浓度有关，还与异质结能带差有关 如果HBT的发射区半导体禁带宽度比基区宽0.2eV， 室温下电流增益可以比相同掺杂的普通晶体管提高2191倍 考虑界面复合后HBT的增益 AlGaAs-GaAs HBT的电流增益与发射极电流的关系（300K） n是理想因子，当导带上的势垒尖峰在平衡时没有伸出，则n=1。如果尖峰露出了p区的导带底，则 耗尽区中的复合电流是发射极异质结电流中的重要成分 HBT的频率特性 异质结注入比大的优点并不完全被利用来提高增益，更重要的是在保证足够增益的同时来提高晶体管的频率特性 同质结晶体管主要依靠发射极高掺杂，基区低掺杂的方法提高注入比 异质结晶体管则可以在保证相同注入比的条件下降低发射极掺杂，提高基区掺杂，进而提高晶体管的频率特性 最大振荡频率：Rb的减小晶体管的最大振荡频率也增加 开关时间：开关时间直接由基区电阻Rb和基区渡越时间决定 宽带隙集电区：当集电结正向偏置时，可以阻止空穴从基区向集电区注入，这类似于宽带隙发射区效应 先进的HBT Si-SiGe HBT Ⅲ-V族化合物基HBT GaAs/AlGaAs HBT：GaAs/AlxGa1-xAs材料晶格匹配好、带隙范围大、迁移率高，GaAs载流子在强场情况下出现的速度过冲现象可以大大减小渡越时间，良好性能的GaAs半绝缘衬底使得器件和互连之间的绝缘简单易行 InGaAs/InP HBT：采用InGaAs作基区，用InAlAs或InP作宽带隙发射区而得到的HBT具有电子迁移率高、表面复合小、器件尺寸小、衬底热导率高等优点 化合物半导体场效应晶体管 场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET） 金属半导体场效应晶体管 高电子迁移率晶体管 金属半导体肖特基接触 金属一半导体接触称作肖特基接触（Schottky Contact）：在MESFET中，金属栅与其下的半导体材料形成的金属半导体结具有整流特性 欧姆接触：金属一半导体之间也可以形成非整流接触，这种非整流金属—半导体接触则称为欧姆接触。 能带结构 两者接触后，电子从半导体流向金属 半导体表面会逐渐产生电子耗尽 表面正电荷密度也随之增加 正电荷分布在半导体表面一定厚度的空间区域内——空间电荷区 空间电荷区内存在内建电场，造成能带弯曲 接触电势差大部分降落在空间电荷区 Wm-Ws （a） ，p型半导体 （b） ，n型半导体 （c）欧姆接触 伏安特性 ，n型半导体 （b） ，p型半导体 （c）肖特基接触 伏安特性 （a） p型阻挡层 多子反阻挡层 元素 银Ag 金Au 钨W 铂Pt 铝Al 铬Cr 钛Ti 镍Ni 钼Mo 钯Pd Wm(eV) 4.26 5.1 4.55 5.65 4.28 4.5 5.65 5.15 4.6 5.12 几种常用金属的功函数 几种常用半导体的电子亲和能 半导体 Si GaAs AlAs AlSb GaP (eV) 4.01 4.07 3.5 3.6 4.0 在实际的肖特基二