缺陷黄铜矿半导体AⅡB2ⅢC4Ⅵ电子结构和光学性质的理论的研究.pdf

fIIII III InllllllllllIllUlIIIllIlllllIII Y229091 7 摘要 随着科技的发展，人们对半导体材料的需求越来越多，对其特殊性质的应用要求也 越来越高。三元化合物半导体A“B2ⅢC4Ⅵ，由于其具有透光波段宽、发光性能好、光学 强度高和感光肿I二F--厶匕,gE,好等优良特性，能够应用在电光器件、光电子器件、太阳能电池和非 线性光学设备等方面，从而引起了人们的广泛关注。为了充分的理解和掌握此类半导体 的相关性能，拓宽其应用范围，我们采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方 为该类材料的实际应用提供理论基础。 本文分为四部分：第一章，简要介绍半导体材料的发展、第一性原理计算方法进行 材料性质研究的优势和半导体材料A“B2“1C4Ⅵ应用价值及前景；第二章，主要介绍本文 进行研究相关的物理基础及第一性原理计算的理论基础；第三章，系统地研究并分析了 所研究材料的晶格结构、电学以及光学性质等，其中电学性质主要包括对能带和态密度 的分析，光学性质包括对介电函数、折射率、吸收系数、反射系数和损失函数的分析； 第四章，对整篇文章的概括和相关结论的总结以及对未来的展望。 eVil0 和CdGa2Te4六种材料的性质较为类似，光学性质在中间能量区域(4 eV)表现出较 eV)矛H高能区域(10 强的各向异性，在低能区域(4 eV)各向异性不太明显。ZnGa2S4、 其反射系数在09。处达到最大值，最大值接近1．0，越过最大值后曲线急剧下降，三种材 料的强反射峰均处于紫外区域，可以作为紫外光屏蔽或紫外探测材料：而CdGa2S4、 双峰结构，且反射系数最大值都在0．8左右，越过反射峰后曲线下降较为缓慢。 关键词：缺陷黄铜矿结构，电子结构，光学性质，第一性原理计算 whichwidewhichWithmorematerialsmoremoremethodmainABSTRACTbeenbroadenbriefbasisbehaviourrecentbandhashasThisareareaanannonlinearkindresearchCdGa2Se4CdGa2Te4valueandandandandadamantineandandandarticleandandandandarticleandandallandofoforderofofofofofofoftheofofofofobtainandandtototototoforfunctionalfourfourthfuture．devices．Inclusterdividedcalculationconcludeconcludedielectricconclusionstheexcellentthethethetheelectronicthethethethethethethetheoreticalthirdtheelectronictheelectronicthethethisthethattheexhibitsciencesemiconductorsemiconductorstudiedstudiedsemiconductor’andstudiedstructuresemiconductorsecondstudiedstructurestructurestructureluminouslatticelossitsitsititsisintoisintroductionisintroducesinintermediate 0 behaviourina a 0