《变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用 Application of Accelerated Simulation Method on NPN Bipolar Transistors of Different Technology》.pdfVIP

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2015-12-08 发布于河南
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《变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用 Application of Accelerated Simulation Method on NPN Bipolar Transistors of Different Technology》.pdf

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《变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用 Application of Accelerated Simulation Method on NPN Bipolar Transistors of Different Technology》.pdf

第44卷第1251 原子能科学技术 V01．44，No．12 Atomic Scienceand Dec．2010 2010年12月 Energy Technology 爿k0日又Irm辐照加速评估方法在不同工艺的 NPN双极晶体管上的应用费武雄h2”，陆妩1’2，任迪远1’2，郑玉展1’2“，王义元1’2“，陈睿1’2”，李茂顺1’2一，兰博1’2一，崔江维1’2…，赵云1’2“，王志宽4，杨永晖4 (1．中国科学院新疆理化技术研究所．新疆乌鲁木齐830011’ 2．新疆电子信息材料与器件重点实验室，新疆乌鲁木齐830011I 3．中国科学院研究生院。北京 100049， 4．模拟集成电路国家重点实验室，重庆400060) 摘要：对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的“Co7辐照实验。结果显示．6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅明显高于室温高剂量率的辐照损伤，且能很好地模拟并保守地评估不同工艺的NPN双极晶体管低剂量率的辐照损伤。对实验现象的机理进行了分析。关键词：NPN双极晶体管!eoCo7辐照；低剂量率辐照损伤增强；变温辐照；加速评估方法中图分类号：TN322．8 文献标志码：A 文章编号：1000。6931(2010)12-1493。05 Method ofAcceleratedSimulation Application NPN ofDifferent on Transistors Technology Bipolar FEI Wul”，REN Yu-zhanl’2”， Wu—xion91·2”，LU Di—yuanl”，ZHENG WANG Ruil·2～，LIMao—shunl·2一，LAN1301’2”， Yi—yuanl·2一，CHEN CUl Yunl’2”，WANGZhi—kuan‘，YANG Jiang—weil’2”，ZHA0 Yong—hui‘ TechnicalInstitute Sciences， Academyof (1．Xinjiang ofPhysicsChemistry，Chinese 830011。ChinaI Urumqi Electronic MaterialandDevice， 2．XinjiangKeyLaboratoryof Information 830011，Chinal