《In2O3掺杂Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3无铅压电陶瓷的研究》.pdfVIP

下载本文档

18
0
约1.55万字
约 5页
2015-12-09 发布于河南
举报
版权申诉

《In2O3掺杂Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3无铅压电陶瓷的研究》.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

《In2O3掺杂Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3无铅压电陶瓷的研究》.pdf

第29卷第5期电子元件与材料、，01．29No．5 20lO年5月 ELECTRONICCoMPONENTSANDMATERIALS Mav20lO 无铝压电陶瓷的研究 In203掺杂Bi0．5∞ao．82硒．18)o．5Ti03 尹丹1一，周昌荣1，一，刘心宇1一，成钧1，2 (1．桂林电子科技大学材料科学与工程学院，广西桂林541004：2．桂林电子科技大学广西信息材料重点实 004) 验室，广西桂林541 陶瓷的晶粒尺寸随掺杂量的增加而增加。介电常数．温度曲线显示陶瓷具有两个介电反常峰ff和fm，在fm的介电常数‰随掺杂量的增加而下降，ff和fm都随掺杂量的增加向高温移动．当In203摩尔分数为O．1％时，压电性能达最大值：西3=141pC／N，拓=o．32．关键词：无铅压电陶瓷；BNT；In203掺杂；介电性能；钙钛矿结构 doi：10．3969／j．issn．100l·2028．2010．05．002 中图分类号：TM282 文献标识码：A 文章编号：100卜2028(2010)05．O005，03 of lead—free In203 Study dopedBio．5(Nao．82Ko．18)o．5Ti03 pleZ0eleCtrlCCeramlCS ‘ YIN Junl2 Danl．_，ZHOU Changron91”，LIUXinyul一，CHENG ofM啦rialscienceand (1．school Engineeri吗Guilinunivers崎ofEIec的mc慨hnolo卧Guilin541004，G唧izhuan韶J I M删s’(如ilin ZI幽；quCht豫：2．Gu锄影il(eyabofalc搿oflnformationUnivers姆0fElemnic低hnolo勖G惦ilin541004， G啪鲥zhIlallgzuzizlliquClli豫) Abstract：The of the wasselected鹳b雒e and nearMPB compositionBio．5(Nao．82‰．18)o．5Ti03(BND componentIn203 w豁selectedaSa e行bctof onthe structureandeIectrical oflead·f把e dopam．The In203doping砌ountc哕stal properties cemmics waS showsthatall piezoelcctricBio．5(Na0．82‰．曲．5Ti03inVestigated．x-刨di行址tionanalysis samplespossess struc