硅基应变moset的研究和设计.pdfVIP

摘要 摘要 SiCMOS技术以其低能耗、高集成度、高效率、高可靠性以及优良的噪声性 能在集成电路中占据统治地位。对于深亚微米尺寸的器件，为了提高载流子迁移 率，需要采用新的材料代替Si材料做为导电沟道，但是新材料也不可避免的带来 很多新的缺点和需要解决的问题，所以用成熟的Si材料作为超大规模集成电路的 材料还是现阶段集成电路的第一选择。Si基应变技术不仅提高了Si基材料器件的 性能，更重要的是延长了价格高昂的工艺设备的使用年限，最大限度的节约了成 本。所以Si基应变技术成为深亚微米SiCMOS电路继续向高速、高性能发展的关 键技术。 本文从理论和实验两个方面开展了研究工作，主要内容分为三部分：Si基应 以及高k栅介质应变MOS器件的制备以及包括界面特性，电学特性的研究和分析。 具体的主要研究工作和成果如下： 1．通过求解泊松方程建立了应变Si on (Strained．Si 件仿真工具ISE对所建立的模型进行验证和分析，为应变Si PMOSFET以及SSOINMOSFET的物理参数设计提供了理论依据。 道和埋层沟道的阈值电压模型，以及保证埋层沟道先于表面沟道开