多晶硅纳米薄膜压阻传感器应用中的关键技术研究.pdf

Classified Index: TP212.12 U.D.C: 621.3 Dissertation for the Doctoral Degree in Engineering RESEARCH ON KEY TECHNOLOGIES OF POLYSILICON NANO THIN FILMS IN PIEZORESISTIVE SENSOR APPLICATIONS Candidate ： Shi Changzhi Supervisor： Prof. Liu Xiaowei Academic Degree Applied for ： Doctor of Engineering Speciality： Microelectronics and Solid State Electronics Affiliation ： School of Astronautics Date of Defence ： Oct, 2011 Degree-Conferring-Institution ： Harbin Institute of Technology 摘 要 摘 要 在压阻传感器方面，与单晶硅相比，多晶硅薄膜器件无需 p-n 结衬底隔离，可 实现高温工作；与绝缘体上单晶硅（SOI ）相比，其具有工艺简单、制造成本低的 优势。但是，普通多晶硅压阻传感器灵敏度偏低。研究结果表明，厚度 100nm 以 下的重掺硼多晶硅纳米薄膜（PNTF ）具有较高的应变系数（GF≥34 ）及低电阻及 GF 温度系数 （TCR 及 TCGF）；而同等掺杂浓度普通多晶硅薄膜的 GF 仅为 20~25 ， TCR 及 TCGF 高近一个数量级。因此，PNTF 在高温压阻传感器研制方面具有良好 的应用前景。 要实现 PNTF 在压阻传感器中的应用必须解决如下技术问题：在纳米尺寸下 其薄膜均一性差，电阻值随工艺条件变化的偏差大，严重影响传感器测量精度， 而传统电阻修正法存在稳定性差或浪费芯片面积的缺点，因此必须提出适用于 PNTF 压阻传感器的电阻偏差精确修正方法；传统铝基接触电极与多晶硅的接触电 阻较大且扩散现象显著，易产生电迁移现象，热稳定性欠佳，严重影响器件性能， 因此必须研究低接触电阻、合金化深度受控、热稳定性好的多层欧姆接触工艺； PNTF 的超薄结构使其电学特性易受外界电荷、污染物及表面氧化的影响，必须对 其表面进行保护和钝化处理，而现有单层钝化膜的钝化效果欠佳，且传感器制作 工艺又决定钝化工艺温度不能过高，因此必须研究高钝化质量的低温钝化工艺。 为此，本文对 LPCVD 高掺硼 PNTF 的电阻偏差电学修正技术、欧姆接触技术及表 面钝化技术进行了系统的研究。 在电阻偏差修正方面，针对硼杂质不存在分凝现象与现有杂质分凝模型存在 的矛盾，提出了基于填隙原子-空位对（IV 对）理论的晶界电流致再结晶模型及电 学修正的晶界热传导模型，将电学修正现象解释为大电流引起晶界级联式再结晶， 增大载流子迁移率从而降低薄膜电阻。基于所提出的模型，对不同薄膜参数样品 的电学修正特性进行了机理分析，并定量建立了阈值电流密度与薄膜参数的理论 关系，并用实验结果对理论模型进行了验证。在此基础上，提出直流电流逐次修 正法，并研究了电学修正对压阻、温度特性的影响。结果表明，该法将修正精度 提高了 4 倍，且不会明显改变 PNTF 的压阻灵敏度及温度系数，适用于PNTF 压阻 传感器的阻值修正。 在欧姆接触方面，针对现有模型测试结构完好率低、测试精度差的问题，改 进了现有线性和圆点传输线模型（LTLM 和 CDTLM ）测试结构，并考虑了金属 层电阻的影响，基于双半环电阻网络修正了现有 C