微机原理及接口技术半导体存储器.pptVIP

学习目标 1、存储器的类型: 随机存储器RAM 只读存储器ROM 2、存储器的设计、地址分配 3、外设的地址分配 重点内容 1、存储器的类型 2、存储系统的设计 6.1 半导体存储器简介 6.1.1 现代微机系统的存储器层次结构 存储器是用来存储信息的部件。 存储器的三级结构: Cache容量小(几百K）,速度与CPU相当 主存容量大（256MB、512MB) ，速度比Cache慢 外存容量大(40、80GB），速度慢 6.1.2 半导体存储器的分类: 按制造工艺分类 双极型：速度快、集成度低、功耗大 MOS型：速度慢、集成度高、功耗低 按使用属性分类 随机存取存储器RAM：可读可写、断电丢失 (Random Access Memory) 只读存储器(Read Only Memory) ：正常只读、断电不丢失 6.1 半导体存储器简介 RAM种类 双极型RAM MOS RAM 静态RAM（SRAM） 速度快,集成度低 动态RAM（DRAM） 速度慢,集成度高 6.1 半导体存储器简介 ROM种类 掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改 PROM：允许一次编程，此后不可更改 EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程 EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除 ① 存储体 每个存储单元具有一个唯一的地址，可存储1位（位片结构）或多位（字片结构）二进制数据 存储容量与地址、数据线个数有关： 芯片的存储容量＝2M×N ＝存储单元数×存储单元的位数 M：芯片的地址线根数 N：芯片的数据线根数 ② 地址译码电路 双译码可简化芯片设计 主要采用的译码结构 ③ 片选和读写控制逻辑 片选端CS*或CE* 有效时，可以对该芯片进行读写操作 输出OE* 控制读操作。有效时，芯片内数据输出 该控制端对应系统的读控制线 写WE* 控制写操作。有效时，数据进入芯片中 该控制端对应系统的写控制线 6.2 读写存储器RAM 6.2.1 静态RAM 1.六管静态存储电路:存储一个二进制位。 反相器交叉耦合组成双稳态触发电路。 T3、T4为负载管 T1、T2为反相管。 T5、T6为选通管。 T1 和T2的状态——一位二进制信息。 B点状态代表数据状态 写入时 由I/O线输入: 若I/O=1，使Q2 导通，Q1 截止， A=1，B=0。 读出时 A、B点信号由T5、T6送出到 I/O线上。若A=1，B=0，则I/O=0。 6.2 读写存储器RAM 存储容量为1024×4 18个引脚： 10根地址线A9～A0 4根数据线I/O4～I/O1 片选CS* 读写WE*（低写高读） 存储容量为8K×8 28个引脚： 13根地址线A12～A0 8根数据线D7～D0 片选CS1*、CS2 读写WE*、OE* 6.2.1 动态RAM1、动态基本存储电路 数据以电荷形式存于电容器上，三极管作为开关。 DRAM一般采用“位结构”存储体： 每个存储单元存放一位 需要8个存储芯片构成一个字节单元 每个字节存储单元具有一个地址 6.2.1 动态RAM 2、动态RAM典型芯片 动态Intel 4114 6.2.1 动态RAM 2、动态RAM典型芯片 动态Intel 2164A EPROM 顶部开有一个圆形的石英窗口，用于紫外线透过擦除原有信息 一般使用专门的编程器（烧写器）进行编程 编程后，应该贴上不透光封条 出厂未编程前，每个基本存储单元都是信息1 编程就是将某些单元写入信息0 EPROM芯片2764 存储容量为8K×8 28个引脚： 13根地址线A12～A0 8根数据线D7～D0 片选CE* 编程PGM* 读写OE* 编程电压VPP EPROM芯片27256 EEPROM 用加电方法，进行在线（无需拔下，直接在电路中）擦写（擦除和编程一次完成） 有字节擦写、块擦写和整片擦写方法 并行EEPROM：多位同时进行 串行EEPROM：只有一位数据线 EEPROM芯片2817A 存储容量为2K×8 28个引脚： 11根地址线A10～A0 8根数据线I/O7～I/O0 片选CE* 读写OE*、WE* 状态输出RDY/BUSY* EEPROM芯片2864A 存储容量为8K×8 28个引脚： 13根地址线A12～A0 8根数据线I/O7～I/O0 片选CE* 读写OE*、WE* 6.4 存储芯片与CPU的连接 存储芯片的数据线连接 存储芯片的地址线连接 存储芯片的片选端连接 存储芯片的读写控制线连接