数字电路与逻辑设计 作者 宁帆 张玉艳 第6章.pptVIP

第六章 可编程逻辑器件 6.1 半导体存储器 6.2 可编程逻辑器件简介 6.3 可编程逻辑阵列 6.4 可编程阵列逻辑 6.5 通用阵列逻辑 6.6 现场可编程门阵列 6.1 半导体存储器 存储器就是存储信息的设备或组件。存储器的种类很多，常见的有磁盘、磁带、光盘、电荷耦合器件以及半导体存储器等。 半导体存储器的种类很多，根据用户能对存储器进行的操作分为只读存储器（Read Only Memory，ROM）和随机读写存储器（Random Access Memory，RAM）两大类；从制作工艺上，又把存储器分为双极型和MOS型。 6.1.1 只读存储器（ROM） 习惯上根据存储器的数据能否改写将存储器分为以下三类： ·固定内容的只读存储器 （ROM）； ·一次改写的只读存储器 （PROM）； ·可多次改写的只读存储器 （EPROM，E2PROM）。 1.固定内容的只读存储器 （ROM） 固定内容的只读存储器（ROM）是采用掩模工艺制作的，存储器的数据在芯片的制作过程中就确定了。产品出厂时存储的数据已经固化在芯片上。数据只能读出，不能写入。 2.一次改写的只读存储器 （PROM） PROM的电路结构与固定只读存储器一样，也是由存储矩阵、地址译码器和输出部分组成。但是其存储矩阵的所有交叉点上全部制作了存储器件，相当于在所有的存储单元内都存入了1。 3.可多次改写的只读存储器（EPROM，E2PROM） 由于存储单元工作原理不同，可多次改写的只读存储器有各种各样的类型，常见的如光擦除可编程的只读存储器（EPROM）、电擦除可编程的只读存储器（E2PROM）等等。 （1） EPROM 光擦除可编程的只读存储器（Ultra-Violet Erasable Programmable Read Only Memory, UVEPROM）是最早投入使用的EPROM，我们习惯上所说的EPROM就是指光擦除可编程的只读存储器。 （2） E2PROM EPROM可多次写入，每次写之前都必须用紫外光擦除存储器中原有的信息。E2PROM（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）是用电信号可擦除的可编程ROM，E2PROM的结构和符号示意图如图6-1-7所示，由图中可见，其结构与EPROM类似，但工作原理不同。 4.用ROM实现组合逻辑函数 由ROM结构可以看到，其译码器输出是全部输入变量的最小项，而每一位数据的输出又都是某些最小项之和。 6.1.2 随机读写存储器 1.RAM的结构 RAM的结构由地址译码器、存储矩阵和读/写控制电路三部分组成，如图6-1-11所示。 读/写控制电路用于对电路的工作状态进行控制。 2.静态存储单元 3.动态存储单元 DRAM的动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理制成的。由于漏电流的存在，电容上存储的电荷不能长久保持，为了及时补充漏掉的电荷避免存储的信息丢失，必须定时地给栅极电容补充电荷，这种操作称为再生或刷新。 （1） 三管动态存储单元 （2） 单管动态存储单元 6.1.3 存储器容量的扩展 1.位扩展 如果一片ROM或RAM的位数不够用时，可以采用位扩展方式。图6-1-15所示为用16片1024×1位的RAM扩展为1024×16位的RAM。 2.字扩展 如果一片ROM或RAM的字数不够用时，可以采用字扩展方式。图6-1-16所示为用两片512×8位的RAM扩展为1024×8位的RAM。 6.2 可编程逻辑器件简介 随着微电子技术的发展，逻辑器件也在千变万化，数字集成电路产品的种类很多，可将它们分为如下三种类型： 标准器件（SSI/MSI逻辑器件），如TTL工艺的54/74系列的逻辑门、触发器、计数器和寄存器等； 可编程控制器，指各种微处理器（CPU）和单片微型计算机芯片等； 专用集成电路（Application Specific Integrated Circuit，ASIC），指应特定用户要求或特定电子系统的需要而设计、制造的集成电路。 可编程逻辑器件(PLD)按照结构的复杂程度及原理不同大致分为如下三类： 简单可编程逻辑器件（SPLD）； 复杂可编程逻辑器件（CPLD）； 现场可编程门阵列（FPGA）。 6.2.1 PLD器件的基本结构 在数字系统设计时，当输入信号中既有原变量又有反变量时，任何数字逻辑都能用与—或逻辑函数来描述，即可用与门和或门来实现。这样就有了早期的PLD器件，其结构如图6-2-1所示。很多的新型器件也是据此发展起来的。 6.2.2 PLD器件的逻辑表示 1.输入/输出缓冲器的逻辑表示 输入/输出