数字电子技术与实训教程 作者 郭健华 第6章.pptVIP

第6章 半导体存储器 6.1 概 述 6.2 只 读 存 储 器 6.3 随机存取存储器 6.4 存储器容量扩展 本章主要讲述半导体存储器，介绍半导体存储器的基本工作原理，并介绍RAM、ROM的特点、使用场合以及存储器存储容量的扩展等有关内容。 6.1 概 述 半导体存储器的种类很多，按采用元件来分，有双极型和MOS型两大类。 6.2 只 读 存 储 器 6.2.1只读存储器的结构和工作原理 只读存储器（ROM）的一般结构如图6.1所示。它主要由地址译码器、存储矩阵及输出缓冲器组成。 ROM的存储单元可以用二极管构成，也可以双极型三极管或MOS管构成。 输出缓冲极是ROM的数据读出电路，通常用三态门构成，它不仅可以实现对输出数据的三态控制，以便与系统总线连接，还可提高存储器的负载能力。 图6.2是具有两位地址输入和4位数据输出的ROM结构图，其存储单元用二极管构成。 6.2.2只读存储器的编程及分类 ROM编程是指将信息存入ROM的过程，根据编程和擦除的方法不同，ROM可分为掩膜ROM、可编程ROM（PROM）可擦除的可编程ROM（EPROM）3种类型。 6.3 随机存取存储器 随机存取存储器也称随机存储器或随机读/写存储器，简称RAM。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入（存入）或读出（取出）信息。但是RAM具有易失性，一旦断电，所存储的数据立即丢失。根据存储单元的工作原理不同，RAM分为静态RAM和动态RAM。 6.3.1随机存取存储器的结构和工作原理 1. 静态随机存储器 （1） 基本结构。静态随机存储器（SRAM）主要由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路3部分组成，其框图如图6.9所示。 （2） SRAM的静态存储单元。如图6.10所示是由6个NMOS管（T1～T6）组成的静态RAM的存储单元。 2. 动态随机存储器 静态RAM的存储单元管子较多，使芯片存储容量受到限制。动态随机存储器（DRAM）用电容存储电荷的原理制成，电路结构简单，集成度可以做得很高。 动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息，但由于栅极电容的容量很小，而漏电流又不可能绝对等于0，所以电荷保存的时间有限。 为了避免存储信息的丢失，必须定时地给电容补充漏掉的电荷，通常把这种操作称为“刷新”或“再生”，因此DRAM内部要有刷新控制电路，其操作也比静态RAM复杂。尽管如此，由于DRAM存储单元的结构能做得非常简单，所用元件少，功耗低，因而目前已成为大容量RAM的主流产品。 动态MOS存储单元有四管电路、三管电路和单管电路等。四管和三管电路比单管电路复杂，但外围电路简单，图6.11所示是单管动态存储单元的电路结构。 6.3.2 6264型随机存取存储器简介 6264是8K×8的SRAM。该芯片采用20引脚双列直插封装，单电源+5V供电。图6.12给出了MCM6264的逻辑结构框图和引脚排列图 。 6.4 存储器容量扩展 由于各种型号RAM的字数和位数各不相同，当一片RAM不能满足需要时，就需要进行字数或位数的扩展。如果RAM的位数与计算机数据总线位数不匹配，为了使计算机每次读／写能够取得相应数量的数据位，同样需要用若干片RAM来扩展每次存取的位数，这种扩展称为位扩展。 1. 位数的扩展 存储器芯片的字长多数为1位、4位、8位等。当实际的存储系统的字长超过存储器芯片的字长时，需要进行位扩展。 位扩展可以利用芯片的并联方式实现，图6.13是用8片1024×1位的RAM扩展为1024×8位RAM的存储系统框图。 2. 字数的扩展 图6.14是用字扩展方式将4片256×8位的RAM扩展为1024×8RAM的系统框图。 * 在线教务辅导网： 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址： 图6.1N字M位ROM结构图 6.2二极管ROM结构图 图6.9SRAM的基本结构图 图6.10六管SRAM存储单元 图6.11DRAM单管存储单 图6.13RAM的位扩展连接法