《徐自亮 太阳能硅片及电池片检测方法.》.ppt

SEMILAB CHINA * Thank You Very Much! 非常谢谢！ 瑟米莱伯（中国）公司 Semilab China 上海浦东新区商城路889号波特营B2幢3楼 （200120） Tel: 021 Fax: 021E-mail: semilab@ Web site: SEMILAB CHINA * Backup slides SPV技术应用：Fe含量的测量 SEMILAB CHINA * Fe在P型硅中有两种状态 Fe-B 对，对少子的复合几乎没有贡献 间隙原子，很强的少子复合中心 一般情况下都以Fe-B对的形式存在 Si Si Si Si Si Si Si Si B Fe Si Si Si Si Si Si Si Si Si Fe B Si 分解前 Si Si Si Si Si Si Fe i Si Si B Si Si Si Si Si Si Si Si B Fe i Si Si Si Si Si Si 分解后 Semilab SDI扩散长度与NREL IQE扩散长度 结果的比对 SEMILAB CHINA * SPV技术应用：ALID（加速光致衰退）测量 SEMILAB CHINA * L [μm] Avg: 103.6 Std: 2.872 Min: 93.68 Max: 109.3 L_ [μm] Avg: 75.40 Std: 5.673 Min: 61.02 Max: 85.86 L_ [μm] Avg: 63.68 Std: 5.034 Min: 51.28 Max: 73.63 BO2 和 Fe 都处于非激活状态 只有BO2 处于激活状态 BO2 和 Fe 都处于激活状态 Semilab ALID测量举例：成品电池片 SEMILAB CHINA * BO2 [cm-3] Avg: 2.75E+10 Std: 2.02E+10 Min: 5.27E+8 Max: 1.10E+11 BO2含量低 Avg. 2.75 e10 cm-3 BO2 [cm-3] Avg: 1.35E+12 Std: 2.85E+11 Min: 6.37E+11 Max: 1.79E+12 BO2含量高 Avg: 1.35 e12 cm-3 与传统ALID测量的对比 SEMILAB CHINA * 2.5e17 5e17 [Oi] 样品 由ISFH提供 结果： Semilab ALID测量方法在数十分钟内给出了结果 ISFH用了数小时的时间（测量方法不同） 二者的氧含量结果完全相同 Semilab针对场效应钝化测量的推荐方案 SEMILAB CHINA * Experimental setup for field effect passivation measurements Non contact C-V 非接触 CV 测量的四个基本要素：沉积电荷 SEMILAB CHINA * 极性是由高压的极性控制的 ? 带电离子团: CO3- ， (H2O)nH+ 在介质层表面沉积低能量带电离子团 沉积的电荷量由以下因素控制： 高压 放电装置与样品表面的距离 放电时间 表面已有电荷的库仑作用 非接触 CV 测量的四个基本要素：测量表面电势 SEMILAB CHINA * J(t) VDC 振动电极 C(t) 样品 样品台 在回路中实现零电流的状态下 C=C0 + dC·sin(?t) J(t)=?·dC(VDC+Vcpd)·cos(?t) Vcpd=-VDC QSS μ-PCD和非接触CV技术配合使用： 场效应钝化 SEMILAB CHINA * A B C D A B C D A, B, C, D, 具有高的表面复合速率，相应的其硅表面势垒也低。 处于耗尽状态的区域，相应地表面复合速率会高于处于反型状态的区域。后者在图中为表面势垒VSB 0.6V 的区域。 55 325 * * SEMILAB CHINA 瑟米莱伯（中国）公司 Semilab China 上海浦东新区商城路889号波特营B2幢3楼 （200120） Tel: 021 Fax: 021E-mail: semilab@ Web site: 太阳能硅片及电池片检测方法 杭州 2011年7月 SEMILAB CHINA * 内容提要 准稳态微波反射光电导（QSS μ-PCD）技术 Quasi Static State Microwave PhotoConductivity Decay 表面光电压（SPV）技术测量扩散长度 Surface PhotoVoltage Diffusion Length Inline PL检测技术 P