固体物理(第课)电子热容.pptVIP

理查森：热离子学的奠基人之一。他做了大量的实验，证实在高温下的物质及受到紫外光作用的金属都能发出电子。他最先详细地研究了电子在真空里从热体逃逸的现象，并给以完整的说明。同时，他在光致发射方面的研究也有助于解释物质与辐射间的相互作用。他还研究了和化学作用有关的电子发射，对于填补紫外线光谱和X 射线光谱之间的缺隙也有重要的贡献。他发现了热离子学的基本定律——理查森定律，从而获得了1928 年度诺贝尔物理学奖金。 理查森为人朴质，平易近人。青年时期，几乎一天到晚穿着电机实验室的工作服。每逢星期天上教堂做礼拜，才穿得整齐些。后来做了大学教授，他上教堂穿的那件唯一的“礼服”，还是他入大学那年，母亲送给他的礼物。 他很爱惜东西，他的一件衣服能穿十几年，一点儿都没有破，只是颜色褪了，式样旧了而已。有一次，理查森听说皇家物理研究院一个工友的老母病重，他就把自已在研究院应得的年俸，都赠给这个人去替老母医治。 * 5.3 自由电子气的比热 电子气的摩尔热容量为： 只有kBT附近的电子才能受热激发而跃迁至较高能级。 晶体的摩尔热容为(液氦温度) Cv和的N(EF?)关系 和EF有关的补充内容： 5.4 金属的电导率和欧姆定律 电导率 热平衡时，电子状态在K空间的分布是关于原点对称的，K态电子与-K态电子成对出现，因而自由电子气的总动量为零。金属中没有电流。 当金属加均匀恒定电场E时，电子动量变化方程： 经过时间τ后电子波矢的增量为 上式表明整个费米面在K空间移动了?k，因而电子状态的分布不再具有中心对称，系统的总动量不为0，金属中有电流流过。 杂质、缺陷、声子对电子的散射，导致电流不可能无限大，直至一个恒定值。 电子的漂移速度： 金属体内电流密度： ?k kx ky 例子 铜：vF≈1.57×108cm/s T=4k时，?≈2×10-9s， ?=vF?≈0.3cm T=300k时，? ≈2×10-14s ，?≈3×10-6cm 可见低温时平均自由程相当大，表明电子不是经典粒子，而是服从量子物理规律的粒子。参与导电的电子只是费米面附近的部分电子，具有很高的速度，才会有很大的平均自由程。 5.5 金属的热导率 前面讨论绝缘晶体的热传导是由声子完成的。 实验表明，金属存在温度梯度时，金属样品中产生热流，其热导率大大高于绝缘晶体的热导率，所以对于金属热传导主要是电子在起作用。 自由电子气的热导率： v取费米球面上电子的速度vF，于是： 维德曼-弗兰兹定律：给定温度下，金属的热导率和电导率之比是常数 5.7 功函数与接触电势 5.7.1 热电子发射与功函数(示意图) (1) 经典自由电子论的推导 a. 模型（示意图） b. 推导过程 里查森简介（附后） 电子速度分布函数为： 选x坐标沿垂直发射面的方向，则发射电流： (2) 量子自由电子论的推导 a. 模型（示意图） b. 推导过程 金属表面发射电子 三种分布曲线的比较（T=5000K） BE MB FD 5.7.2 接触电势 1. 定义：任意两个不同的金属A和B相接触或以导线相连，金属就会带有电荷并分别产生电势VA和VB，该电势称接触电势。 2. 原因分析 –eVA0 VA0 ＋ ＋ ＋ –eVB0 VB0 － － － 不同金属间的接触电势差是由于两者功函数(费米能级)不同造成的。 补充：PN结的能带结构 费米能级趋于一致 补充：制备金属—半导体欧姆接触的理论依据 由于金属—半导体接触电阻是由Schottky势垒（фb）和半导体掺杂浓度（确切地说应为载流子浓度）决定的，所以凡是能够降低势垒фb或增大载流子浓度的方法都有助于降低接触电阻。目前人们制备金属—半导体欧姆接触依据的主要是以下两条原则： （1）对于近似符合简单Mott理论的半导体，若能找到一种比n型半导体功函数小或比p型半导体功函数大金属，就应该能做成欧姆接触。 （2）将紧靠金属的一层做成重掺杂半导体（即载流子浓度很高），此时耗尽层很薄，以致能发生场发射（即载流子可借隧道效应穿过势垒），因此在零偏压下接触具有很低的电阻。绝大部分金属—半导体欧姆接触都是根据这一原则制成的。 势 阱 模 型 返回经典 返回量子 补充：量子反常霍尔效应 首次从实验中观测到量子反常霍尔效应后，清华大学副校长薛其坤院士和他的团队受到外界广泛关注。 　2012年3月15日，薛其坤团队的研究成果在线发表于美国《科学》杂志。4月12日，该杂志正式发表这一论文，其“展望”栏目还刊登了题为《完整的量子霍尔家族三重奏》的评论文章。文章表示，中国科学家“证实了期待已久的量子反常霍尔效应的存在，这是量子霍尔家族的最后一位成员”。 　　凝聚态物理中，量子霍尔效应占据着极其重要的地位。整数量子霍尔效应和分数量子霍