利用行星式movd反应室生长algainp红光外延片的研究.pdfVIP

摘 要 本文所研究的内容是通过改变气流量的分布，来改善LED外延片的均匀性， 从而为生长出高质量的LED外延片提供理论支撑和技术支持，为LED的快速发 展奠定基础。 本文通过理论分析了AIXTRON2800G4行星式MOCVD气体喷嘴上下两路 五族源的流量比、上下两路五族源流速、AsH3流量以及III族源的总气流对外延 层m组分、生长速率、掺杂浓度对晶体质量、均匀性等的影响。 研究了生长出高质量的A1GaInP红光LED外延片的生长工艺，并进行了实 验分析。探究使用最佳的生长工艺制作出的A1GaInP红光LED外延片的生长速 率提高了12．5％，DBR波长均匀性提高了20％，MQW均匀性提高了20％，光 强度均匀性提高了10％，从整体上提高了LED外延片的良率。因此，本文所研 究的气流量分布为LED行业的发展起到较大的推动作用。 GaI nP 关键字：MOCVD反应室五族源的流量五族源流速I|I族源的总气流Al 红光LED均匀性 ABSTRACT