化学气相沉积-8-2.ppt

8.2.6化学气相沉积的新进展 金属有机化合物化学气相沉积 （MOCVD） 等离子体化学气相沉积法（PCVD） (PECVD) 激光化学气相沉积法（LCVD） 低压化学气相沉积（LPCVD） 一、金属有机化合物化学气相沉积 （MOCVD） Metal Organic Compound Chemical Vapor Deposition） 用在相当低的温度下能分解的金属有 机化合物作初始反应物。 优点: 可以在热敏感的基体上进行沉积 缺点: 沉积速率低 晶体缺陷密度高 膜中杂质多 二、等离子体化学气相沉积（PCVD） Plasma (Enhanced) Chemical Vapor Deposition 低压气体放电技术 化学气相沉积 直流电场 高频电场 微波场 反应气体发生辉光放电 等离子体及其性质 等离子体是气体存在的一种状态，在这种状态下，气体由离子、电子和中性原子组成，在宏观上呈电中性。等离子体可以由气体放电（辉光放电和弧光放电）或高温（火焰、电弧、核反应）产生 * * 第八章 气相沉积技术 8.2 化学气相沉积（CVD） 化学气相沉积是利用气态物质在固体表面发生化学反应，生成固态沉积物的过程。化学气相沉积的过程可以在常压下进行，也可以在低压下进行。CVD技术是当前获得固态薄膜的方法之一。 与物理气相沉积不同的是： 化学气相沉积沉积粒子来源于化合物的气相分解反应。 是在相当高的温度下，混合气体与基体的表面相互作用，使混合气体中的某些成分分解，并在基体上形成一种金属或化合物的固态薄膜或镀层。 8.2.1 CVD反应过程及一般原理 在反应器内进行的CVD过程，其化学反应是不均匀的， 可在衬底表面或衬底表面以外的空间进行。衬底表面的 大致过程如下： （1）反应气体向衬底表面扩散。 （2）反应气体分子被吸附于衬底表面。 （3）在表面上进行化学反应、表面移动、成核及膜生长。 （4）生成物从表面解吸。 （5）生成物在表面扩散。 CVD基本条件: 沉积温度下必须有足够高的蒸汽压； 反应生成物除所需沉积物为固态外，其余为气态； 沉积物本身饱和蒸汽压足够低。 8.2.2 CVD反应 8.2.4 CVD的特点及应用 一、CVD的特点 CVD与其他涂层方法相比，具有如下特点： （1）设备简单，操作维护方便，灵活性强，既可 制造金属膜、非金属膜，又可按要求制造多种成分的合金、陶瓷和化合物镀层。 通过对多种原料气体的流量调节，能够在相当大的范围内控制产物的组分，从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。 （2）可在常压或低真空状态下工作，镀膜的绕 射性好，形状复杂的工件或工件中的深孔、细孔都能均匀镀膜。 （3）由于沉积温度高，涂层与基体之间结合好，这 样，经过 CVD法处理后的工件，即使用在十分恶劣 的加工条件下，涂层也不会脱落。 （4）涂层致密而均匀，并且容易控制其纯度、结构 和晶粒度。 （5）沉积层通常具有柱状晶结构，不耐弯曲。但通 过各种技术对化学反应进行气相扰动，可以得到细 晶粒的等轴沉积层。 该法最大缺点是沉积温度高，一般在700～1100℃ 范围内，许多材料都经受不了这样高的温度，使其 用途受到很大的限制。 7.2.4 CVD的特点及应用 二、CVD的应用 利用CVD技术，可以沉积出玻璃态薄膜， 也能制出纯度高、结构高度完整的结晶薄 膜，还可沉积纯金属膜、合金膜以及金属间 化合物。 这些新材料由于其特殊的功能已在复合材料、微电子学工艺、半导体光电技术、太阳能利用、光纤通信、超导电技术和保护涂层等许多新技术领域得到了广泛应用。 1.复合材料制备 CVD法制备的纤维状或晶须状的沉积物在发展复 合材料方面它具有非常大的作用。如Be、B、Fe、 Al2O3、SiO2、SiC、Si3N4、AlN和BN等纤维或晶 须增强的Al、Mg、Ti、Ni、Cu及各种树脂类高分子 聚合物等的复合材料，以及纤维和晶须增强的各种 陶瓷类复合材料。 在陶瓷中加入微米量级的超细晶须，已证明可使复合材料的韧性得到明显的改进。 2.微电子学工艺 半导体器件，特别是大规模集成电路的制作，其基 本工艺流程都是由外延、掩膜、光刻、扩散和金属 连接等过程组合而成的。其中半导体膜的外延、P— N结扩散源的形成、介质隔离、扩散掩膜和金属膜的 沉积等是这些工艺的核心步骤。化学气相沉积在制 备这些材料层的过程中逐渐取代了像硅的高温氧化 和高温扩散等旧有工艺，在现代微电子学工艺中占 据了主导地位。化学气相沉积高纯硅的问世使半导 体进入了集成化的新时代。 3.半导体光电技术 半导体光电技术包括半