真空共晶焊空洞研究的发展现状与发展趋势.pptVIP

内容 1.国内外研究现状 2.真空共晶焊原理 3.真空共晶焊空洞 4.降低空洞率的措施 5.对未来空洞率的要求和控制方案的预测 * 真空共晶焊空洞研究的发展现状与发展趋势 1.国内外研究现状 1.1国外研究现状 在上个世纪七十年代初期，国外已有了真空共晶焊的研究，对于真空共晶焊空洞缺陷问题，也有很多学者研究过，他们大都是通过实验来研究空洞问题，如10年Byung-Gil Jeong等人对RF-MEMS器件做了加压可靠性测试、高湿度存储可靠性测试、高温存储可靠性测试、温度循环可靠性测试等4种测试，测试后放置室温条件1h后发现Au80Sn20预成型焊框出现了空洞。13年Ngai-Sze 等人在多个LED工作在6W情况下，比较了夹头加热和流体回流加热两种共晶（焊料为AuSn）方式下的空洞率，结果表明夹头加热方式焊片的平均空洞率为8.8%，优于流体回流加热方式下的焊片平均空洞率40%。 1.2国内研究现状 国内在上个世纪八十年代初已有学者研究了真空共晶焊。目前，国内已有不少对真空共晶焊的研究，如13年西南电子技术研究所的贾耀平选用了Au80Sn20焊料对毫米波GaAs功率芯片的焊接工艺进行了较为系统深入的研究，对焊接时气体保护、焊片大小、焊接压力、真空工艺过程的施加和夹具设计等因素进行了试验分析，结果表明，GaAs功率芯片焊接具有较低的空洞率，焊透率高达90%