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第二章 薄膜的物理气相沉积（Ⅰ）-蒸发法 本章内容 引言 第一节 物质的热蒸发 第二节 薄膜沉积的厚度均匀性和纯度 第三节 真空蒸发装置 蒸发法沉积薄膜时，真空度较高，被蒸发的原子处于分子流状态，因此沉积过程中遇到障碍物的时候有阴影效应 结果导致蒸发的物质被障碍物遮挡而不能沉积到衬底上，破坏薄膜的均匀性 衬底表面不平，或有较大的表面浮突，薄膜沉积受到蒸发源方向的限制，造成某些部位不能沉积 电阻器可以依被镀物工件形状、摆放方式、位置、腔体大小、旋转方式而作成不同的形状。以便使靶材的蒸发分布均匀，沉积的薄膜厚度均匀。 细丝状的金属靶材(Al, Ag, Au, Cr...)是最早被热蒸镀使用的靶材形式，后来发展出舟状，篮状等。 缺点： 电子束的绝大部分能量要被坩埚的水冷系统带走，因而其热效率较低。另外，过高的加热功率也会对整个薄膜沉积系统形成较强的热辐射。 原理： 把将要蒸发的材料制成放电电极（阳极，位于蒸发靶靶头位置），薄膜沉积前，调节电极（被蒸发材料）和引弧针头（阴极，常用直径约1mm的短铜条）之间的距离，至一合适范围（通常不超过0.8mm）。 薄膜沉积时，施加于放电电极和引弧针头之上的工作电压将两者之间的空气击穿，产生电弧，而瞬间的高温电弧使得电极端部（被蒸发材料）受热产生蒸发，从而实现物质的沉积。控制电弧点燃的次数或时间，即可以沉积出一定厚度的薄膜。 缺点 电弧加热方法既可以采用直流加热法，又可以采用交流加热法。这种方法的缺点之一，是在放电过程中容易产生微米量级大小的电极颗粒的飞溅，从而影响被沉积薄膜的均匀性。 薄膜分析 SEM 分析 薄膜表面非常的致密, 与基底有十分良好的附着力。 图4 为800℃退火20min 后样品的SEM 图像, 可以看出, 退火后的薄膜样品由尺寸分布比较均匀的晶粒组成, 平均晶粒尺寸约为3μm左右。薄膜表面相对比较平整, 但存在少量的微孔和块状晶体。 图6 中( 1)( 2)( 3) 分别代表基底温度为150℃ 、350℃、600℃的衍射图谱。 （2）Cd1- xZnxTe 多晶薄膜的制备、性能与光伏应用 Cd1- xZnxTe (简称CZT ) 是一种性能优异的II－IV族三元化合物半导体材料，具有闪锌矿立方结构。它可以被看作两种二元材料ZnTe和CdTe的固溶体, 改变Cd1- xZnxTe 中Zn含量(x 值或称组分) , 它的一些重要的物理性质可以在预想的范围内变化。其禁带宽度随x 值变化在1149eV 到2126eV 间连续可调。 正是由于Cd1- xZnxTe 材料具备这些优异性质,使它在很多领域有着广泛的应用。如用Cd1- xZnxTe制成的探测器能在常温下工作, 性能优异, 是现在研究的热点; 它也是其他许多II－IV族化合物半导体材料理想的外延衬底; 而能隙宽度在1165～ 1175eV间的Cd1- x ZnxTe 薄膜材料作为高效级联电池的顶层材料特别引人注目。还有, 在CdTe 电池中, Cd1- xZnxTe是一种有望代替ZnTe 材料来作为与CdTe 形成欧姆接触的背接触层材料。 用共蒸发法制备Cd1- xZnxTe 多晶薄膜, 能简单控制所制备薄膜的组分, 也从实验上得到了能隙与组分的关系。 使用下图 的共蒸发装置来制备Cd1- x2ZnxTe 多晶薄膜。 真空室(真空度1×10- 3Pa) 中, 两个独立的蒸发源分别加热ZnTe (99.998% ) 粉末和CdTe (99.999% ) 粉末, 蒸发ZnTe 的蒸发器用石英容器, 外面绕上加热钨丝, CdTe 粉末则用钼舟加热。两个蒸发源之间隔有挡板, 以免互相间对探头有干扰。用两台LHC22 膜厚监控仪对两个蒸发源各自进行薄膜厚度和沉积速率的在线监控。实验中衬底为普通显微镜用载玻片。 所有在玻璃衬底上用上述共蒸发法制备的Cd1- x ZnxTe 多晶薄膜的XRD 图谱中, 都只有一个峰,它就是CdTe 和ZnTe 的合金——碲锌镉. 电池中碲化镉是多晶薄膜, 具有大量的晶粒间界和局部微孔。这会形成微小的漏电通道而降低了电池的旁路电阻。 Cd0.4Zn0.6Te 过渡层本身电阻率很高, 而且膜层很致密, 因此它能很好地起着堵塞碲化镉中漏电通道的作用, 使电池的旁路电阻增加了12～12%。 电弧离子镀是将电弧技术应用于离子镀中,在真空环境下利用电弧蒸发作为镀料粒子源实现离子镀的过程. 电弧离子镀是物理气相沉积技术中应用最广,同时也是进行硬质膜制备的唯一产业化方法. 同磁控溅射相比具有沉积速率高、附着力好、膜层致密、易于控制、适应性宽等特点.电弧离子镀技术制备的T