第3章 3.2 二极管.pptVIP

3 二极管 1 基本结构 2 伏安特性 3 主要参数 二极管电路分析举例 4 稳压二极管 3. 主要参数 4.稳压电路 解 先断开D，求二极管端电位：VB =2V，VA= - 2V，VBVA，二极管正偏，为导通状态，iD0，vD=0，VAO =VBO=2V。 解 ①首先将D1和D2断开，求两管承受的电压，D1管：VB=0V VA=－9V，VBA=9V；D2管：VB=－ 12V，VA=－9V，VBA=－3V。二极管接入后，D1因正偏处于导通状态。VA=0V，VA被D1钳位在0V，而VCA=（－12－0）V=－12V，所以，D2因反偏处于截止状态。②求输出电压VO。VO=VA=0V。 解 首先将 D1和D2断开，求得两管将承受的电压。D1 管：VAB1=VA－VB1=VA=15V；D2 管：VAB2=VA－VB2=[15－(10)]V=25V。二极管接入以后，D2因承受的正向电压较D1高，优先导通，使VA钳制在VA= VB2 =(－10)V=－10V。此时，D1因承受反向电压而截止。故VO=VA=－10V。 * (a) 点接触型 (b)面接触型 结面积小、结电容小、正向电流小。用于检波和变频等高频电路。 结面积大、正向电流大、结电容大，用于工频大电流整流电路。 (c) 平面型 用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 阴极引线 阳极引线 二氧化硅保护层 P 型硅 N 型硅 ( c ) 平面型 金属触丝 阳极引线 N 型锗片 阴极引线 外壳 ( a ) 点接触型 铝合金小球 N 型硅 阳极引线 PN 结 金锑合金 底座 阴极引线 ( b ) 面接触型 3 二极管 二极管的结构示意图 阴极 阳极 ( d ) 符号 D 硅管0.5V,锗管0.1V。 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 特点：非线性 硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V U I 死区电压 P N + – P N – + 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向工作峰值电压URWM 是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。 3. 反向峰值电流IRM 二极管的单向导电性 1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。 2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。 3. 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 4. 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。 定性分析：判断二极管的工作状态 导通截止 否则，正向管压降 硅0.6~0.7V锗0.2~0.3V 分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。 若 V阳 V阴或 UD为正( 正向偏置 )，二极管导通 若 V阳 V阴或 UD为负( 反向偏置 )，二极管截止 若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。 电路如图，求：UAB V阳 =－6 V V阴 =－12 V V阳V阴 二极管导通 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB =－ 6V 否则， UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V 例1： 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 在这里，二极管起钳位作用。 D 6V 12V 3k? B A UAB + – 两个二极管的阴极接在一起 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 V1阳 =－6 V，V2阳=0 V，V1阴 = V2阴= －12 V UD1 = 6V，UD2 =12V 例2: D1承受反向电压为－6 V 流过 D2 的电流为 求：UAB B D1 6V 12V 3k? A D2 UAB + – ∵ UD2 UD1 ∴ D2 优先导通， D1截止。 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB