电子元器件基础知识(无源元件).ppt

5. 混合集成电路中的元器件 电阻：印刷电阻和片状电阻 电容：多层陶瓷电容器（独石电容） 电感：磁芯线绕电感和片状印刷电感 二极管：整流、检波、肖特基、齐纳、隧道 双极型晶体管：NPN、PNP 场效应晶体管：绝缘栅场效应管（MOSFET） 结型场效应管（JFET） 光耦合器： 集成电路： 模拟集成电路 数字集成电路 数模混合集成电路 混合电路中的电阻器 厚膜和薄膜电阻（与印制基板一体化制造） 外贴片状电阻： 厚膜片状电阻 薄膜片状电阻 电阻的主要参数：阻值、公差、电阻温度系数、电阻电压系数、功率、噪声 混合电路中的电阻器 膜电阻器 下图描述上述尺寸的关系：该电阻器有4方电阻率材料。若膜的电阻率为1000Ω/□，则阻值为4000Ω。 片状电阻器 一般情况下，在混合电路制造过程中，电阻器被淀积或丝印在基片上，然而也有各种理由要使用片电阻： 对一个具体的设计，可能仅需要一个或两个电阻器。在这种情况，使用片电阻来代替淀积或丝印电阻器更经济，避免了附加工艺步骤的费用。 在一个厚膜基片上，可能会有几个电阻器与其他电阻器有明显的不同，它将要求有额外的电阻浆料和印刷工艺。在这种情况下，对这几个不同阻值的电阻器使用片电阻将更为经济。 片状电阻器 在电阻用低面电阻率材料做成的薄膜电路中，也可能需要几个高值的电阻器。同样，对这几个高值电阻使用片电阻器是解决问题的切实办法。 厚膜电阻器具有较大的温度系数。若电路设计需要用厚膜获得一个多层结构，但也需要精密的电阻器，则应该使用片状薄膜电阻器。 厚膜电阻器比薄膜电阻器具有大的噪声指数。所以当电路要求低噪声时，应该使用片状薄膜电阻器。 片状电阻器 可用的片状的薄膜电阻器的商品有用镍铬或者用氮化钽作为淀积材料做成的30mil见方的片子。它们被生产成各种结构，包括单值的电阻器，中心抽头电阻器(如图6-18所示)，或按定制设计的多电阻阵列；图6-19显示了一个包含七个电阻器的电阻阵列的例子。图6-20是该阵列的电路图。可利用的片电阻有全部焊盘都在顶部的，也有一个焊盘在顶部，第二个连接焊盘在底部的。薄膜电阻器标准的基片材料是硅，虽然也可以使用石英或抛光的氧化铝。 片状电阻器 薄膜片状电阻器 COG/NPO X7R X7R COG/NPO 大容量电容器（X7R和X5R） 大容量多层陶瓷电容器（MLCC）最大容量可达100 μF。可以代替钽电容器和低ESR的电解电容器，用不着考虑极性的问题。应用包括电源旁路电容器、平滑电容器、DC/DC电源的输入输出滤波器。 大容量电容器（X7R和X5R） Z5U/Y5V BX L、Lt分别为原来的和温度循环变化后的电感量。 βL表示电感量经过温度循环变化后不再能恢复到原来数值的不可逆变化情况。 温度对电感量的影响，主要是导线热胀冷缩，几何变形而引起的。为减小这一影响，一般采用热绕法（绕制时将导线加热，冷却后导线收缩，紧紧贴合在骨架上），或烧渗法（在线圈的陶瓷骨架上，烧渗一层银薄膜，代替导线），保证线圈不变形。 βL = 四、线圈的结构与常用磁芯 线圈通常由骨架、绕组、磁芯、屏蔽罩等组成。除线圈绕组外其余部分根据使用场合各不相同。 屏蔽罩 支架 焊脚 磁帽 磁芯 绕组 支座 （a）小型振荡线圈 （b）带磁环线圈 （c）不带磁芯的线圈 骨架 绕组 磁芯 绕组 骨架 （d）带磁芯的线圈 绕组 （e）空心线圈 图1.16 电感器结构 收音机中振荡线圈、中频变压器即采用图1.16（a）的结构其金属屏蔽罩在电路中接地可起到隔离作用。 环行磁芯 螺纹磁芯 罐形磁芯 E形磁芯 圆形磁棒 图1.17 几种常用磁芯 返回 电感器，因为它们的体积大，一般不与其它器件集成在混合电路封装内部。它们是组装在混合电路外部的印刷电路版上。然而，有三种类型的电感器可以装在混合电路中： 膜电感器：厚膜或薄膜电感器，10~100nH 片状电感器：0.1~1000μH 线绕电感器：用漆包线绕制，达到1000μH DC/DC电源模块是个例外。把一些电感线圈和变压器集成在模块内部。 * 2. 电容器的主要作用 储存电荷 隔直 耦合交流信号。 （1）并联于电源两端用作滤波。 （2）并联于电阻两端旁路交流信号。 （3）串联于电路中，隔断直流通路，耦合交流信号。