功率器件及集成电路-3.ppt

电子科技大学 方健副教授 功率器件及功率集成电路 功率MOS器件－VDMOS DMOS MOS 型器件的优点： 功率MOS、BJT、IGBT的比较 DMOS 1.耐压问题 作业1 1.如果ND=1×1015,W=10μm, 计算此时的DMOS的击穿电压.其中EC=2.5×105 V/cm 解答提示: 2.对于PIN结构, 如果 N=1×1016, L=30 μm, EC=2.5×105 V/cm. 反偏时器件会发生穿通吗? 请定量加以说明.并画出N区内的电场分布和电势分布 作业1(续) 3. 试推导出当耐压为V, 导通电阻ρW 最小时n 区浓度ND 和n区宽度 W 的值. 解答提示: 2 IV特性 影响IV特性的因素 有效沟道长度----沟道长度调制效应 高场迁移率 准饱和区现象 跨导: 定义 3. 阈值电压 MOS结构的基本阈值电压公式 DMOS的阈值电压计算 由于pwell区的表面浓度不均匀。所以在计算DMOS的阈值电压时应取沟道区的最高浓度加以计算。 NAMAX 4. Cell图形 5. 导通电阻 Rch 沟道电阻 Ra 表面积累区电阻 Rj 颈部电阻 Repi 漂移区电阻 6. 终端问题 常见的终端技术 场限环 场板 浮空场板 VLD (横向变掺杂) 1.场限环 2.场板 电阻场板 3. 浮空场板 4.场板+浮空场板+场限环 5. VLD横向变掺杂 横向变掺杂的实现(1) 几种终端技术的比较 Ref： 1980 Sun Plammer，ED－28, No.2 p156 模型 条形图形 元胞图形 条形图形 元胞图形 条形图形 元胞图形 V 平行平面结 非平行平面结 平行平面结的耐压 非平行平面结耐压 p p p p p p EC S1 S2 S2S1 所以耐压得到提高 p p p 场板设计的关键参数: 1.浓度 2.场板的长度 3.氧化层的厚度 p p p p p p * * S D G B C E 不导电 欧姆接触，要导电 MOS：电压控制器件； BJT：电流控制器件 多子导电，速度快 少子导电，速度慢 108～1011 Ω 极高 中高 低 高 高（1200V） 优 高 150°C 108～1011 Ω 102 ～103 100～500KHz 高 高 中（500V） 优 高 200°C 103～105Ω 10～100 20～80KHz 低 高 高（1200V） 良 中 150°C 输入阻抗 电流增益 开关频率 导通电阻 关断电阻 电容量 坚固性 成本 最大工作温度 IGBT 功率MOS BJT 参数 问世 生长 成熟 饱和 衰退 淘汰 Ge管 齐纳二极管 晶闸管 小信号晶体管 BJT 双向可控晶闸管 射频功率管 肖特基快恢复二极管 功率MOS IGBT MCT、EST、BRT 问世 生长 成熟 饱和 衰退 淘汰 Ge管 齐纳二极管 晶闸管 小信号晶体管 BJT 双向可控晶闸管 射频功率管 肖特基快恢复二极管 功率MOS IGBT MCT、EST、BRT Double Diffusion （双扩散） MOSFET （金属氧化物场效应晶体管） 双扩散金属氧化物场效应晶体管 L s d g V L s d g V L s d g V L s d g V L s g d V d V d V L s g d V 耐压问题 IV特性 3. 导通电阻 4. 阈值电压 5. Cell图形 6. 终端问题 L s g d V p i N+ W 10 100 1000 10000 1014 1015 1016 1017 100 10 1000 ND W VBR P+ N N+ L VD VD = VD 线性区 饱和区 饱和电压 I V N N P VD MOS有效沟道长度 L Leff N N P VD N DMOS有效沟道长度 Leff L ν E 载流子漂移速度和电场的关系 E μ 载流子迁移率和电场的关系 高场迁移率 低场 低场 高场 高场 νs I V ΔID Vg1 Vg2 未出现速度饱和的情况: 出现速度饱和的情况: Vg ID Vg gm s g s g I V N N P N x y NA x y NA 因此DMOS的阈值电压与普通MOS的阈值电压是有差别的!!! 比较不同cell图形的优劣 Rch : 沟道电阻 Ra : 表面积累区电阻 Rj ： 颈部电阻 Repi : 漂移区电阻 s g d V 如何求上述电阻的值? I V s g s g *